<p>作为MOSFET的一个特性，如果它在一定的能量、漏极电流ID范围内，并且低于额定结温Tch，则即使超过了额定电压V<sub>DSS</sub>，它也不会击穿损坏。<br />
这就是所谓的雪崩能力，允许能量被称为雪崩能量，电流被称为雪崩电流。</p>
<img alt="图3-10雪崩能力（能量、电流）测试电路、波形及计算公式" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="019b2cc2-e966-4514-b083-f85ce06dba7c" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-10%E9%9B%AA%E5%B4%A9%E8%83%BD%E5%8A%9B%EF%BC%88%E8%83%BD%E9%87%8F%E3%80%81%E7%94%B5%E6%B5%81%EF%BC%89%E6%B5%8B%E8%AF%95%E7%94%B5%E8%B7%AF%E3%80%81%E6%B3%A2%E5%BD%A2%E5%8F%8A%E8%AE%A1%E7%AE%97%E5%85%AC%E5%BC%8F.png" />
<p>图3-10雪崩能力（能量、电流）测试电路、波形及计算公式</p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;