<p>（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））<br />
（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。<br />
（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，如果是SJ-MOS的情况，电场强度在N层中是均匀的。<br />
（4）所以，SJ-MOS可采用具有较低电阻的N层设计，以实现低导通电阻产品。<br />
采用与DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以实现更低的导通电阻。</p>
<p><img alt="D-MOS（π-MOS）的结构和电场" data-entity-type="file" data-entity-uuid="15aed488-b1ea-4282-a63b-ff9aac9067cd" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-9%EF%BC%88a%EF%BC%89D-MOS%EF%BC%88%CF%80-MOS%EF%BC%89%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84%E5%92%8C%E7%94%B5%E5%9C%BA.png" /></p>
<p>图3-9（a）D-MOS（π-MOS）的结构和电场</p>
<p><img alt="SJ-MOS（DTMOS）的结构和电场" data-entity-type="file" data-entity-uuid="c53f5e73-4ecd-4483-9aad-b338e715e197" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-9%EF%BC%88b%EF%BC%89SJ-MOS%EF%BC%88DTMOS%EF%BC%89%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84%E5%92%8C%E7%94%B5%E5%9C%BA.png" /></p>
<p>图3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的结构和电场</p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;