<p>（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻R<sub>DS(ON)</sub>的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。<br />
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压V<sub>DSS</sub>＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素R<sub>ch</sub>的比例较高。</p>
<p><img alt="D-MOS的导通电阻决定因素" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5f2c418f-52e9-455e-a24d-ea6f306d0f60" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-7%EF%BC%88a%EF%BC%89D-MOS%E7%9A%84%E5%AF%BC%E9%80%9A%E7%94%B5%E9%98%BB%E5%86%B3%E5%AE%9A%E5%9B%A0%E7%B4%A0.png" /></p>
<p>图3-7（a）D-MOS的导通电阻决定因素</p>
<p><img alt="沟槽MOS的导通电阻决定因素" data-entity-type="file" data-entity-uuid="69a246e5-3a7b-4be4-842f-fa22f463e3d3" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-7%EF%BC%88b%EF%BC%89%E6%B2%9F%E6%A7%BDMOS%E7%9A%84%E5%AF%BC%E9%80%9A%E7%94%B5%E9%98%BB%E5%86%B3%E5%AE%9A%E5%9B%A0%E7%B4%A0.png" /></p>
<p>图3-7（b）沟槽MOS的导通电阻决定因素</p>
<p>R<sub>DS(ON）</sub>＝R<sub>sub</sub>＋<u>R<sub>drift</sub></u>＋R<sub>J-FET</sub>＋<u>R<sub>ch</sub></u>＋R<sub>N＋</sub></p>
<p>R<sub>DS(ON)</sub>＝R<sub>sub</sub>＋<u>R<sub>drift</sub></u>＋<u>R<sub>ch</sub></u>＋R<sub>N＋・・・</sub>方程式3-（1）</p>
<p>如果是V<sub>DSS</sub>＝600V，顺序为R<sub>drift</sub> >> R<sub>ch</sub> > R<sub>J-FET</sub>，R<sub>N+</sub>，R<sub>sub</sub>和R<sub>DS(ON)</sub>取决于R<sub>drift</sub><br />
如果是V<sub>DSS</sub>＝30V，顺序为R<sub>ch</sub> >> R<sub>drift</sub> > R<sub>N+</sub>，R<sub>sub</sub>。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低R<sub>DS(ON)</sub>对R<sub>ch</sub>的依赖性</p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;