<p>关于BJT和MOSFET开关操作差异的解释。</p>
<p>（1）基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。为了使集电极电流流动，需要提供基极电流，并且需要连续的驱动功率。（需要低驱动电压、连续驱动功率）</p>
<p>（2）由于MOSFET根据栅极-源极电压形成一个沟道，这个电压必须是一定的或更高的电压。一旦沟道形成，导通状态继续，漏极电流继续流动，因此所需的驱动功率很小。通过释放积聚在栅极中的电荷并移除沟道，它将转变为关闭状态。（驱动电压高于BJT，驱动功率小）</p>
<p><img alt="BJT的开关操作" data-entity-type="file" data-entity-uuid="c09d4400-2499-47bb-92e8-e5ff9487aa14" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-5%EF%BC%88a%EF%BC%89BJT%E7%9A%84%E5%BC%80%E5%85%B3%E6%93%8D%E4%BD%9C.png" /></p>
<p>图3-5（a）BJT的开关操作</p>
<p><img alt="MOSFET的开关操作" data-entity-type="file" data-entity-uuid="e3e14ab6-5617-47ae-9917-c04053993b3a" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-5%EF%BC%88b%EF%BC%89MOSFET%E7%9A%84%E5%BC%80%E5%85%B3%E6%93%8D%E4%BD%9C.png" /></p>
<p>图3-5（b）MOSFET的开关操作</p>
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