<p><strong>JFET的操作</strong></p>
<p>JFET：结型场效应晶体管</p>
<p>（1）在N沟道结型场效应晶体管（图3-3（a））中，当在漏极和源极之间施加电压时，电子从源极流向漏极。</p>
<p>（2）当在栅极和源极之间施加反向偏压时，耗尽层扩大并抑制（1）中的电子流动。（使电子流动的路径变窄）</p>
<p>（3）如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加，耗尽层就会阻塞通道，电子流动停止。</p>
<p>如上所示，施加在栅极和源极之间的电压控制着漏极和源极之间的状态。所以场效应晶体管是电压驱动的器件。</p>
<p><img alt="N沟道JFET的符号和操作" data-entity-type="file" data-entity-uuid="0ace8faf-a58d-4417-a9d0-da6d6efe8c2b" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-3%EF%BC%88a%EF%BC%89N%E6%B2%9F%E9%81%93JFET%E7%9A%84%E7%AC%A6%E5%8F%B7%E5%92%8C%E6%93%8D%E4%BD%9C.png" /></p>
<p>图3-3（a）N沟道JFET的符号和操作</p>
<p><img alt="P沟道JFET的符号和操作" data-entity-type="file" data-entity-uuid="20c0f3e7-3dc2-4cd9-adb6-6c4f65efc249" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3-3%EF%BC%88b%EF%BC%89P%E6%B2%9F%E9%81%93JFET%E7%9A%84%E7%AC%A6%E5%8F%B7%E5%92%8C%E6%93%8D%E4%BD%9C.png" /></p>
<p>图3-3（b）P沟道JFET的符号和操作</p>
<p>注：电流方向与电子流动方向相反。耗尽层的拓宽机理与二极管相同。</p>
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;