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功率半导体冷知识:IGBT短路结温和次数

<p><em>&nbsp;作者:陈子颖 ,来源: <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/7570E9ROZWc0Z5_OZvdaIA">英飞凌工业半导体</a></em></p…;

<p><strong>IGBT短路特性</strong></p>

<p>英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度,而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。那么IGBT模块一辈子都可以生活在这样的舒适区享受人生吗?</p>

<p>不!模块出生后2年内必然要走上社会。在装上整机踏上社会的一刻,往往要经历短路试验这一关。IGBT的底气不足或系统保护不给力,就会夭折。</p>

<p>IGBT在十年甚至几十年的开关高压大电流的生涯中,被短路是难免的,不幸可能是来自系统和外部干扰,甚至是人为操作失误。</p>

<p>IGBT是允许短路的,完全有这样的底气,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V的数据手册是这样描述短路能力的,在驱动电压不超过15V时,短路电流典型值是2400A,只要在10us内成功关断短路电流,器件不会损坏。注意,短路标定的起始温度是150度,那么短路过程中的结温会飙到多高呢?</p>

<p><img alt="结温" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3f260f64-5cc0-44e9-8cf3-5e23eba841b3" src="/sites/default/files/inline-images/01_123.png" /></p>

<p><strong>二级管发生浪涌时会超过最高工作结温吗?</strong></p>

<p>为了理解IGBT短路时的温度,先研究一下二极管的浪涌电流,我们一起来读一段Lutz老师的《功率半导体器件-原理、特性和可靠性》一书,他阐述了快恢复二级管浪涌电流下的芯片内部的温度。</p>

<p>书中有个有趣的例子,这是1200V快恢复二极管,面积49mm²,焊在0.63mm DCB上,浪涌电流宽度7.5ms,峰值功率3060W,这时n-有源层温度高达385度,这还在破坏极限以下,(FRD的浪涌电流是额定电流的10-12倍),对半导体本身还不会产生不可逆转的改变,但芯片焊料层的温度也达到186度,这已经很边界了,可能会造成封装的不可逆转的改变,所以说浪涌电流容量适用于非正常过载事件,而不是功率半导体正常工作状态。</p>

<p><img alt="浪涌电流和电压波形" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a1ba30aa-d011-4afd-897c-344aada12efd" src="/sites/default/files/inline-images/02_128.png" /></p>

<p><em>浪涌电流和电压波形</em></p>

<p><em><img alt="仿真的温度(Si aktiv硅有源区)" data-entity-type="file" data-entity-uuid="bd7a33ab-2b1c-45af-8e80-4558e06c5ccf" src="/sites/default/files/inline-images/03_109.png" /></em></p>

<p><em>仿真的温度(Si aktiv硅有源区)</em></p>

<p><strong>IGBT短路时的温度知多少</strong></p>

<p>在英飞凌早年的文章找到短路时的温度仿真曲线,比较了IGBT2 NPT和IGBT3短路时的温度,可以看到短路起始温度Tvj=175度时,短路时的最高温度360度和461度之高。</p>

<p><img alt="IGBT2 NPT和IGBT3" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ccbac0c4-a041-4713-a8b8-19523337a493" src="/sites/default/files/inline-images/04_88.png" /></p>

<p><img alt="IGBT2 NPT和IGBT3" data-entity-type="file" data-entity-uuid="1869b907-d804-4edc-aa5e-de0b8b1fa83e" src="/sites/default/files/inline-images/05_67.png" /></p>

<p><strong>那么温度是怎么分布的呢?</strong></p>

<p>芯片纵向的温度分布,1200V IGBT在400V时短路,起始温度是26度,4.5us时,芯片背面发射极温度77度,芯片集电极侧167度,由于短路芯片里的电流呈丝状,使热量集中于一点,电流丝温度高达367度,但最高点是表面下面一点。</p>

<p><img alt="电流丝温度" data-entity-type="file" data-entity-uuid="c1f68df8-614e-40f3-83e6-28d30f404056" src="/sites/default/files/inline-images/06_59.png" /></p>

<p><strong>IGBT可以短路100次吗?</strong></p>

<p>短路瞬间功耗很大,结温会远超允许工作结温,那么短路次数可以是多少呢?</p>

<p><strong>故事1:</strong></p>

<p>2003年英飞凌写过一篇文章,给出了有参考价值的实验数据:</p>

<p>实验是基于3600A 1200V TRENCHSTOP IGBT3,VGE=15V,最高工作结温做短路测试,实际短路波形如图,短路脉冲10us,周期1/3Hz,在这样的短路条件下,最高瞬态功耗高达3MW!</p>

<p>4个模块共短路9万次没有问题。</p>

<p><img alt="当年的实验用业内做大电流规格的3600A 1200V模块" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2eb16c8c-06e1-4e5d-9fef-9d47b9f5083e" src="/sites/default/files/inline-images/07_46.png" /></p>

<p><em>当年的实验用业内做大电流规格的3600A 1200V模块</em></p>

<p><img alt="短路波形,短路电流近万安培" data-entity-type="file" data-entity-uuid="21806c8c-92d7-4bc9-b069-b76f9510a361" src="/sites/default/files/inline-images/08_40.png" /></p>

<p><em>短路波形,短路电流近万安培</em></p>

<p><img alt="4个模块的短路次数" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a221cfbf-2277-4d8a-b1d9-43fe409b63cb" src="/sites/default/files/inline-images/09_35.png" /></p>

<p><em>4个模块的短路次数</em></p>

<p><strong>故事2:</strong></p>

<p>Lutz专著中阐述到,短路时存储的能量不能超过临界能量Ec,对于短路事件重复、长时间的测试结果表明:在器件不被损坏的前提下,重复次数可以高达10000次。对于研究的600V IGBT来说,短路失效完全来自于热。此外需要特别注意的是在大量的短路脉冲后,在低于临界能量Ec情况下,IGBT的漏电流,阈值电压没有变化,然而,随着脉冲次数的增加,正向压降Vce增加,短路电流Isc减小。失效分析表明,大约10000周次后,铝金属化层电阻率增加,铝重构引起的芯片金属化层严重退化,并且键合线也退化。</p>

<p><img alt="24600次短路造成的铝重构" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3a3f12b4-97ae-4045-9f65-11553e066c47" src="/sites/default/files/inline-images/10_91.png" /></p>

<p><em>24600次短路造成的铝重构</em></p>

<p><strong>必懂知识:</strong></p>

<p>数据手册怎么说?</p>

<p>IGBT单管举例:IKW25T120,25A 1200V单管的数据手册规定了短路次数小于1000次,间隔大于1秒。</p>

<p><img alt="IGBT单管举例" data-entity-type="file" data-entity-uuid="30dec149-5cd2-48ef-b856-8906944750f1" src="/sites/default/files/inline-images/11_85.png" /></p>

<p><strong>结论</strong></p>

<p>毋庸置疑,IGBT短路是凶险工况,而在很多应用中不能避免,承受短路电流造成的瞬时功率和极端高温,需要芯片和器件承担。对于系统设计工程师就要考虑:</p>

<p>1. 短路工况极其复杂,不是设计出来的,都是意外</p>

<p>2. 器件在短路时可能损坏,选择能承受短路电流,工艺稳定的可靠器件</p>

<p>3. 系统设计做好检测与保护</p>

<p><strong>参考资料</strong></p>

<p>1.REPETITIVE SHORT CIRCUIT BEHAVIOUR OF TRENCH-/FIELD-STOP IGBTS</p>

<p>2.Experimental behavior of single chip IGBT and CoolMOS™ devices under repetitive short-circuit condition</p>

<p>3.Short Circuit Properties of Trench-/Field-Stop-IGBTs –Design Aspects for a Superior Robustness</p>

<p>4.Aluminium Modification as Indicator of Current Filaments in IGBTs under Repetitive Short-Circuit Operation</p>