<p>SBD是由半导体与金属的接合形成的单极器件。原则上，SBD没有反向恢复时间，不像使用pn结二极管会引起问题。因此，SBD有助于大幅度降低关断时的开关损耗。</p>
<p>因为传导是由空穴和电子引起的，所以pn结二极管是双极的。pn结二极管具有反向恢复时间，因为在关断期间少数载流子（p层中的电子和n层中的空穴）会保留在结处。相反，单极的SBD没有反向恢复时间。但由于金属和半导体接合处的耗尽区具有电容，因此其充电和放电将产生电流流动。虽然该电容是温度和反向偏压的函数，但在典型的SiC SBD应用所工作的高压区几乎不受影响。</p>
<p>此外，该电容不是电流的函数。与pn结二极管的电容不同，当电流小于额定直流电流时，它几乎不依赖于电流。但是具有MPS结构的SiC SBD在电流超过额定直流值时可能会受到少数载流子的影响。</p>
<p>SBD的电容计算如下：</p>
<p>C（V<sub>R</sub>）=S x [ ε×q×N<sub>d</sub>/{2×（V<sub>bi</sub>＋V<sub>R</sub>）}]^0.5</p>
<p>V<sub>bi</sub>：内置电压（＝金属的功函数—n型（p型）半导体的功函数）<br />
S：结区，ε：介电常数，q：单位电荷，N<sub>d：</sub>掺杂浓度<br />
V<sub>R</sub>：反向偏置电压</p>
<p>虽然V<sub>bi</sub>是温度的函数，因为V<sub>bi</sub> << V<sub>R</sub>，所以可忽略。</p>
<img alt="SiC肖特基二极管" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2dbc5c15-e2f4-45d2-9b97-69639c815de4" src="/sites/default/files/inline-images/SiC%E8%82%96%E7%89%B9%E5%9F%BA%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1.jpg" />
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