<p>MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。</p>
<h3>关于导通电阻的电气特性</h3>
<p>晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （V<sub>CE(sat)</sub>） 乘以集电极电流（I<sub>C</sub>）表示。</p>
<p>（集电极损耗P<sub>C</sub>））＝（集电极饱和电压V<sub>CE(sat)</sub> ）x（集电极电流I<sub>C</sub>）</p>
<p>MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （R<sub>DS(ON)</sub>） 计算。</p>
<p>MOSFET消耗的功率P<sub>D</sub>用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（I<sub>D</sub>)的平方表示。</p>
<p>（功率P<sub>D</sub>）＝（导通电阻R<sub>DS(ON)</sub> ） x （漏极电流I<sub>D</sub>）<sup>2</sup></p>
<p>此功率将变成热量散发出去。</p>
<p>MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。</p>
<p><img alt="电压特性" data-entity-type="file" data-entity-uuid="6a104a42-80d1-423c-8e3d-236995573a7c" src="/sites/default/files/inline-images/%E7%94%B5%E5%8E%8B%E7%89%B9%E6%80%A7.gif" /></p>
<p>如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。</p>
<p>另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。</p>
<h3>导通电阻比较</h3>
<p>一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。<br />
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。<br />
封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。<br />
罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。<br />
选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。</p>
<p><img alt="导通电阻比较" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a912512c-10d7-47ab-a384-98e2afeea7e2" src="/sites/default/files/inline-images/%E6%AF%94%E8%BE%83.gif" /></p>
<p>各封装的搜索页请点这里</p>
<h4><a href="https://www.rohm.com.cn/search/parametric/-/search/Standard%20MOSFETs?P…; target="_blank">DFN0604 (0.6x0.6mm)</a></h4>
<h4><a href="https://www.rohm.com.cn/search/parametric/-/search/Standard%20MOSFETs?P…; target="_blank">DFN1006 (1.0x0.6mm）</a></h4>
<h4><a href="https://www.rohm.com.cn/search/parametric/-/search/Standard%20MOSFETs?P…; target="_blank">DFN2020 (2.0x2.0mm）</a></h4>
<p>文章来源：罗姆</p>