<p>在高速电路设计以及电源设计中，常常离不开的就一种原件器就是电容。电容的种类非常多，根据不同的功能应用以及封装大小有各种各样的分类，现就电容器的阻抗大小|Z|和等价串联电阻(ESR)的频率特性进行阐述。通过了解电容器的频率特性，可对诸如电源线消除噪音能力和抑制电压波动能力进行判断，可以说是设计回路时不可或缺的重要参数。此处对频率特性中的阻抗大小|Z|和ESR进行说明。</p>
<p><strong>1.</strong><strong>电容器的频率特性</strong></p>
<p>如假设角频率为ω，电容器的静电容量为C，则理想状态下电容器(图1)的阻抗Z可用公式(1)表示。</p>
<p> </p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="166d3db9-16b9-45c2-beee-d7b269d1df49" src="/sites/default/files/inline-images/1_114.jpg" /></p>
<p>由公式(1)可看出，阻抗大小|Z|如图2所示，与频率呈反比趋势減少。由于理想电容器中无损耗，故等价串联电阻(ESR)为零。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="9c1af49d-a383-4cf3-b008-248f1545f176" src="/sites/default/files/inline-images/2_109.jpg" /></p>
<p><em>图2.理想电容器的频率特性</em></p>
<p>但实际电容器(图3)中除有容量成分Ｃ外，还有因电介质或电极损耗产生的电阻（ESR）及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此，|Z|的频率特性如图4所示呈V字型（部分电容器可能会变为U字型）曲线，ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="3758af5d-0f84-420c-bef8-38bda02a17f4" src="/sites/default/files/inline-images/3_93.jpg" /></p>
<p><em>图3.实际电容器</em></p>
<p>|Z|和ESR变为图4曲线的原因如下。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="8ed9ff1b-b733-491a-bfc8-0c8a053bb434" src="/sites/default/files/inline-images/4_84.jpg" /></p>
<p><em>图4.实际电容器的|Z|/ESR频率特性(例)</em></p>
<p><strong>低频率范围：</strong>低频率范围的|Z|与理想电容器相同，都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。</p>
<p><strong>共振点附近：</strong>频率升高，则|Z|将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响，偏离理想电容器（红色虚线），显示最小值。|Z|为最小值时的频率称为自振频率，此时|Z|=ESR。若大于自振频率，则元件特性由电容器转变为电感，|Z|转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域，反之则称作感性领域。</p>
<p>ESR除了受介电损耗的影响，还受电极自身抵抗行程的损耗影响。</p>
<p><strong>高频范围：</strong>共振点以上的高频率范围中的|Z|的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的|Z|可由公式(2)近似得出，与频率成正比趋势增加。</p>
<p>ESR逐渐表现出电极趋肤效应及接近效应的影响。</p>
<p> </p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="e5a1a0be-cd85-4c7f-99c1-cc76a53564ea" src="/sites/default/files/inline-images/5_78.jpg" /></p>
<p>以上为实际电容器的频率特性。重要的是，频率越高，就越不能忽视寄生成分ESR或ESL的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多，ESR和ESL与静电容量值一样，成为表示电容器性能的重要参数。</p>
<p><strong>2.</strong><strong>各种电容器的频率特性</strong></p>
<p>以上就电容器寄生成分ESR、ESL对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同，则寄生成分也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。</p>
<p>图5表示静电容量10uF各种电容器的|Z|及ESR的频率特性。除薄膜电容器以外，全是SMD型电容器。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="11bdecf2-df3c-413a-93e6-db79c65ceec8" src="/sites/default/files/inline-images/6_59.jpg" /></p>
<p><em>图5.各种电容器的|Z|/ESR频率特性</em></p>
<p>图5所示电容器的静电容量值均为10uF，因此频率不足1kHz的容量范围|Z|均为同等值。但1kHz以上时，铝电解电容器或钽电解电容器的|Z|比多层陶瓷电容器或薄膜电容器大，这是因为铝电解电容器或钽电解电容器的电解质材料的比电阻升高，导致ESR增大。薄膜电容器或多层陶瓷电容器的电极中使用了金属材料，因此ESR很低。</p>
<p>多层陶瓷电容器和引脚型薄膜电容器在共振点附近的特性基本相同，但多层陶瓷电容器的自振频率高，感应范围的|Z|则较低。这是由于引脚型薄膜电容器中只有引脚线部分的电感增大了。</p>
<p>由以上结果可以得出，SMD型的多层陶瓷电容器在较宽的频率范围内阻抗都很低，也最适于高频用途。</p>
<p><strong>3.</strong><strong>多层陶瓷电容器的频率特性</strong></p>
<p>多层陶瓷电容器可按原材料及形状分为很多种类。下面就这些因素对频率特性的影响进行说明。</p>
<p>(1)关于ESR</p>
<p>处于容性领域的ESR由电介质材料产生的介质损耗决定。Class2(种类2)中的高介质率材料因使用强电介质，故有ESR增大的倾向。Class１(种类1)的温度补偿材料因使用一般电介质，因此介质损耗非常小，ESR数值也很小。</p>
<p>共振点附近到感性领域的高频领域中的ESR除受电极材料的比电阻率、电极形状（厚度、长度、宽度）、叠层数影响外，还受趋肤效应或接近效应的影响。电极材料多使用Ni，但低损耗型电容器中，有时也会选用比电阻率低的Cu作为电极材料。</p>
<p>(2)关于ESL</p>
<p>多层陶瓷电容器的ESL极易受内部电极结构影响。设内部电极大小的长度为l、宽度为w、厚为d时，根据F.W.Grover，电极电感ESL可用公式(3)表示。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="fb36c67e-6d05-40a3-9845-1fad4334fc5b" src="/sites/default/files/inline-images/7_48.jpg" /></p>
<p>由此公式可得知，电容器的电极越短，越宽，越厚，则ESL越小。</p>
<p>图6表示各尺寸多层陶瓷电容器的额定容量与自振频率的关系。相同容量，尺寸越小，自振频率越高，则ESL越小。由此，可以说长度l较短的小型电容器适用于高频领域。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="db9490c8-2bd1-45e4-9010-af9476977516" src="/sites/default/files/inline-images/8_37.jpg" /></p>
<p><em>图6.各尺寸额定容量值与自振频率的关系</em></p>
<p>图7为长度l缩短，宽度w增大的LW逆转型电容器。由图8的频率特性可知，即使容量相同，LW逆转型电容器的阻抗低于一般电容器，特性优良。使用LW逆转型电容器，即使数量少于一般电容器，也可获得同等性能，通过减少元件数量可以降低成本，缩减实装面积。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="cac30436-3214-423e-8349-c3e9c798a797" src="/sites/default/files/inline-images/9_31.jpg" /></p>
<p><em>图7.LW逆转型电容器的外观</em></p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="abd1cf45-f68a-4335-913d-c94aed57d7d3" src="/sites/default/files/inline-images/10_30.jpg" /></p>
<p><em>图8.LW逆转型电容器与通用品的|Z|/ESR</em></p>
<p><strong>4.</strong><strong>获得频率特性数据的方法</strong></p>
<p>频率特性数据可通过阻抗分析仪或矢量网络分析仪获取。最近，也可在各元器件厂商的Web网站中确认。</p>
<p>图9为村田公司提供的设计辅助工具"SimSurfing"的图像。可通过选取型号和希望确认的项目，显示特性。还可下载SPICE网络清单或S2P数据作为模拟用数据。方便大家灵活运用到各种电子回路设计中去。</p>
<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="99e44b80-345d-4b85-b94c-9bec9a7907c7" src="/sites/default/files/inline-images/11_26.jpg" /></p>
<p><em>图9.设计辅助工具"SimSurfing"图例</em></p>
<p>来源： <a href="https://mp.weixin.qq.com/s/vAYPKWSe5SCmJjf85uBRLA">信号完整性</a></p>