<p>ESD是Electro Static Discharge英文的缩写，中文含义即静电放电：处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输（转移）。可见，静电与静电放电（ESD）是完全不同的物理概念或物理过程。一个是“静”，一个是“动”。 伴随着静电放电，往往有电量的转移、电流的产生和电磁场辐射。</p>
<p><strong>一、何为静电</strong><br />
静电是物体表面过剩或不足的静止电荷。</p>
<p>1.静电是一种电能，它留存物体表面。</p>
<p>静电是正电荷 和负电荷在局部范围内失去平衡的结果；</p>
<p>静电是通过电子或离子转移而形成的。</p>
<p>2.静电现象是电荷的产生和消失的过程中产生的电现象的总称。</p>
<p><img alt="静电现象" data-entity-type="file" data-entity-uuid="015c8996-f506-43f0-a5d3-bd7356a8a076" src="/sites/default/files/inline-images/01_8.jpg" /></p>
<p><strong>二、静电放电三要素</strong><br />
Q+M+D=ESD</p>
<p>● Q：一定积累的静电荷。</p>
<p>● M：放电途径，如金属接触、对地或低阻的泄放途径。</p>
<p>● D：静电敏感器件。</p>
<p><strong>三、静电产生原理</strong><br />
电子围绕原子核运动，一有外力即脱离轨道，离开原来的原子而侵入其他的原子。</p>
<p><img alt="原子" data-entity-type="file" data-entity-uuid="7e50e014-cbb9-4e74-90de-0c8fedf5e552" src="/sites/default/files/inline-images/02_9.jpg" /></p>
<p>外力包含各种能量， 如动能，位能，热能，化学能，电磁能等。</p>
<p>A原子因缺少电子数而带有正电现象， 称为阳离子。</p>
<p>B原子因增加电子数而带有负电现象， 称为阴离子。</p>
<p><img alt="阴离子" data-entity-type="file" data-entity-uuid="16eb8613-4aac-43a8-8062-ba6bf233ea8d" src="/sites/default/files/inline-images/03_9.jpg" /></p>
<p><strong>四、静电在电子工业中的危害</strong><br />
1.静电吸附灰尘，降低元件绝缘电阻（缩短寿命）。</p>
<p>2.静电放电破坏，使元件受损不能正常工作：静电放电时当放电电流过大（瞬时大电流可达几十A）， 产生过高热能， 将会击穿元件。</p>
<p>三种击穿现象：</p>
<p>● 热击穿：P-N破坏；</p>
<p>● 介电击穿： 氧化层的破坏；</p>
<p>● 金属汽化： 金属线被汽化而开路。</p>
<p>3.静电放电辐射的电磁场幅度很大（可达几百V/m）频谱极宽（从几十兆到几千兆），对电子产品造成干扰甚至损坏。</p>
<p><strong>五、ESD测试标准</strong><br />
目前IEC 61000-4-2看作是 ESD 测试的事实标准。我国的国家标准（GB/T 17626.2-1998）等同于IEC 61000-4-2。</p>
<p><img alt="ESD测试标准" data-entity-type="file" data-entity-uuid="9809f5f1-2dcc-4e5f-9ebb-5c10d5a101d1" src="/sites/default/files/inline-images/04_8.jpg" /></p>
<p>常用消费类的测试采用接触4KV和空气8KV，某些高标准行业如车载类，会采用8KV和空气15KV。</p>
<p><strong>六、电路级ESD防护标准</strong><br />
1.并联放电器件</p>
<p>常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。</p>
<p><img alt="并联放电器件" data-entity-type="file" data-entity-uuid="dfad4fa1-d1a4-4c6f-9fbd-f5c4787e4065" src="/sites/default/files/inline-images/05_6.jpg" /></p>
<p>齐纳二极管（Zener Diodes） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。</p>
<p>瞬变电压消除器TVS（Transient Voltage Suppressor）：TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一结构上的改进使 TVS 具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。</p>
<p>TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容，通常0.3个pF到几十个pF。TVS有单极性的和双极性的，使用时要注意。</p>
<p>压敏电阻：压敏电阻也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压- 电流 （ 阻抗表现 ） 关系，截止电压可达最初中止电压的 2 ～ 3倍。这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。压敏电阻价格比TVS低不少，但是防护效果没有TVS好，且压敏电阻有寿命老化。</p>
<p>2.串联阻抗</p>
<p>一般可以通过串联电阻或者磁珠来限制ESD放电电流，达到防静电的目的。如图。如手机的高输入阻抗的端口可以串1K欧电阻来防护，如ADC，输入的GPIO，按键等。</p>
<p><img alt="串联阻抗" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a1572417-d315-4937-8415-4d824326866e" src="/sites/default/files/inline-images/06_4.jpg" /></p>
<p>3.增加滤波网络</p>
<p>用滤波器滤掉主要的能量也能达到静电防护的目的。</p>
<p><img alt="增加滤波网络" data-entity-type="file" data-entity-uuid="63c7542f-c9ab-472e-983d-3f099b0fa4c1" src="/sites/default/files/inline-images/07_3.jpg" /></p>
<p>对于低频信号，如GPIO输入，ADC，音频输入可以用1k+1000PF的电容来做静电防护，成本可以忽略，性能不比压敏电阻差，如果用1K+50PF的压敏电阻（下面讲的复合防护措施），效果更好，经验证明这样防护效果有时超过TVS。</p>
<p>对于射频天线的微波信号，如果用TVS管，压敏等容性器件来做静电防护，射频信号会被衰减，因此要求TVS的电容很低，这样增加ESD措施的成本。对于微波信号可以对地并联一个几十nH的电感来为静电提供一个放电通道，对微波信号几乎没有影响，对于900MHZ和1800MHz的手机经常用22nH的电感。这样能把静电主要能量频谱上的能量吸收掉很多。</p>
<p>4.多层板进行ESD防护</p>
<p>当资金允许的情况下，选择多层板也是一种有效防止ESD的一种手段。在多层板中，由于有了一个完整的地平面靠近走线，这样可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，进而保护关键信号的作用。</p>
<p>5.电路板外围留保护带</p>
<p>这种方法通常是在电路板周围画出不加组焊层的走线。在条件允许的情况下将该走线连接至外壳，同时要注意该走线不能构成一个封闭的环，以免形成环形天线而引入更大的麻烦。</p>
<p>总之ESD虽然可怕，甚至会带来严重后果，但是，只要保护好电路上电源和信号线，那么就能有效的防止ESD的电流流入PCB中。以上内容供大家参考，希望能给您带来帮助。</p>
<p>文章来源：网络转载</p>