五大元器件的等效电路知识，不要错过了！

周四, 29 十一月 2018 - 16:44

1、电阻

电阻等效电路
<img alt="图1 电阻等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="6dd92c25-11d7-4ec1-a53e-9521ae34da90" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1%20%E7%94%B5%E9%98%BB%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF.png" />
<center>图1 电阻等效电路</center>

电阻的等效阻抗

同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。在高频交流下，须考虑电阻元件的引线电感L0和分布电容C0的影响，其等效电路如图1所示，图中R为理想电阻。由图可知此元件在频率f下的等效阻抗为
<img alt="元件在频率f下的等效阻抗" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="0150b81c-eaef-4a54-818a-9f4cb645f4d0" height="250" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%811.png" width="603" />

上式中ω＝2πf， Re和Xe分别为等效电阻分量和电抗分量，且
<img alt="等效电阻分量和电抗分量" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="6a7b6344-4388-4305-a7d3-e000d6fa4264" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%812.png" />
<center>式 2</center>

从上式可知Re除与f有关外，还与L0、C0有关。这表明当L0、C0不可忽略时，在交流下测此电阻元件的电阻值，得到的将是Re而非R值

2、电感

电感等效电路
<img alt="图2 电感等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="67707cdf-68cd-48a3-b748-68bc39c9bff8" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE2%20%E7%94%B5%E6%84%9F%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF.png" />
<center>图2 电感等效电路</center>

电感的等效阻抗

电感元件除电感L外，也总是有损耗电阻RL和分布电容CL。一般情况下RL和CL的影响很小。电感元件接于直流并达到稳态时，可视为电阻；若接于低频交流电路则可视为理想电感L和损耗电阻RL的串联；在高频时其等效电路如图2所示。比较图1和图 2可知二者实际上是相同的，电感元件的高频等效阻抗可参照式 1来确定
<img alt="电感元件的高频等效阻抗" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="49b81da7-7a96-4f0d-9972-3adb1d3b9653" height="135" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%813.png" width="675" />
<center>式 3</center>

式中 Re和Le分别为电感元件的等效电阻和等效电感。

从上式知当CL甚小时或RL、CL和ω都不大时，Le才会等于L或接近等于L。

3、电容

电容等效电路
<img alt="图3 电容等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="b6740817-8fdf-47ab-a161-6c71db7b1428" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3%20%E7%94%B5%E5%AE%B9%E7%AD%89%E6%95%88%E7%94%B5%E8%B7%AF.png" />
<center>图3 电容等效电路</center>

电容的等效阻抗

在交流下电容元件总有一定介质损耗，此外其引线也有一定电阻Rn和分布电感Ln，因此电容元件等效电路如图 3所示。图中C是元件的固有电容，Rc是介质损耗的等效电阻。等效阻抗为
<img alt="等效阻抗" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="503da4f5-7ccd-40e8-9f67-cb1ef680a0f5" height="276" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%814.png" width="629" />
<center>式 4</center>

式中 Re和Ce分别为电容元件的等效电阻和等效电容，由于一般介质损耗甚小可忽略(即Rc→∞)，Ce可表示为
<img alt="电容元件的等效电阻和等效电容" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5087b141-922f-4742-9f32-42ee4aae4463" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%815.png" />
<center>式 5</center>

从上述讨论中可以看出，在交流下测量R、L、C，实际所测的都是等效值Re、Le、Ce；由于电阻、电容和电感的实际阻抗随环境以及工作频率的变化而变，因此，在阻抗测量中应尽量按实际工作条件(尤其是工作频率)进行，否则，测得的结果将会有很大的误差，甚至是错误的结果。

4、二极管

功率二极管的正向导通等效电路

（1）：等效电路
<img alt="等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="b9e14d99-54ee-4e13-b3a4-ffa0ecaa3f70" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%816.png" />
（2）：说明： 
二极管正向导通时可用一电压降等效，该电压与温度和所流过的电流有关，温度升高，该电压变小；电流增加，该电压增加。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。

功率二极管的反向截止等效电路

（1）：等效电路
<img alt="等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="add8ebbf-b29e-4ffe-88de-173dda8de19b" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%817.png" />
（2）：说明： 
二极管反向截止时可用一电容等效，其容量与所加的反向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。

功率二极管的稳态特性总结

（1）：功率二极管稳态时的电流/电压曲线
<img alt="功率二极管稳态时的电流/电压曲线" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="d441cd2c-59aa-4e05-9673-efb6f2fff32b" height="176" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%818.png" width="697" />
（2）：说明： 
二极管正向导通时的稳态工作点：
<img alt="二极管正向导通时的稳态工作点" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="4404ca6f-8429-40c0-ad2f-62be20bfc31a" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%819.png" />
当Vin >>Vd 时，有：
<img alt="公式" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="e218da37-70c8-45f8-9e69-bf449cadbb26" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8110.png" />
而Vd对于不同的二极管，其范围为 0.35V~2V。 
二极管反向截止时的稳态工作点： Id≈0，Vd = -Vin

（3）：稳态特性总结：

-- 是一单向导电器件（无正向阻断能力）； 
-- 为不可控器件，由其两断电压的极性控制通断，无其它外部控制； 
-- 普通二极管的功率容量很大，但频率很低； 
-- 开关二极管有三种，其稳态特性和开关特性不同：

-- 快恢复二极管； 
-- 超快恢复，软恢复二极管； 
-- 萧特基二极管（反向阻断电压降＜＜200V，无反向恢复问题）；

-- 器件的正向电流额定是用它的平均值来标称的；只要实际的电流平均值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的； 
-- 器件的通态电压呈负温度系数，故不能直接并联使用； 
-- 目前的 SiC 功率二极管器件，其反向恢复特性非常好。

5、MOS管

功率MOSFET的正向导通等效电路

（1）：等效电路
<img alt="等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="21401edb-7efe-4b2c-9af6-3c38ef8e6b0b" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8111.png" />
（2）：说明： 
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。

功率MOSFET的反向导通等效电路（1）

（1）：等效电路（门极不加控制）
<img alt="等效电路（门极不加控制）" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ecccb549-03e8-4571-b06b-4a2d02f8a686" height="181" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8112.png" width="621" />

（2）：说明： 
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向导通等效电路（2）

（1）：等效电路（门极加控制）
<img alt="等效电路（门极加控制）" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="18f143aa-386a-484e-a0cf-d304c89401c2" height="261" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8113.png" width="636" />
（2）：说明： 
功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。

功率MOSFET的正向截止等效电路

（1）：等效电路
<img alt="等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="57bd4b57-455a-4cca-9b90-40ba44589350" height="257" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8114.png" width="664" />
（2）：说明： 
功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。

功率MOSFET的稳态特性总结

（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线
<img alt="功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ba715ad0-31ea-43cc-afa3-84b61b9bedc0" height="210" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8115.png" width="682" />
（2）：说明： 
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：
<img alt="功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f7fc85de-1519-4eaa-917e-32c77ce9164f" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8116.png" />
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。

（3）：稳态特性总结：

-- 门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当Vgs<Vth时，器件处于断开状态，Vth一般为 3V；当Vgs>Vth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为 12V-15V ，额定值为+-30V；

-- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；

-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；

-- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件；

包含寄生参数的功率MOSFET等效电路

（1）：等效电路
<img alt="等效电路" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ef161798-8e7e-4a2e-9f90-9672460cde39" height="227" src="/sites/default/files/inline-images/%E4%BB%A3%E7%A0%8117.png" width="642" />
（2）：说明： 
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。

文章转载自：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5MzUxMTAwMg==&mid=2649731892&am…电子技术设计</a>