随着碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）功率器件在高频开关电源应用中的发展，驱动电路对紧凑设计、低电磁干扰（EMI）及高压隔离提出了更高要求。国巨集团推出 PMG7277NLT LLC 驱动变压器，进一步丰富 GDSC 系列产品阵容。该产品集成三组驱动绕组，最大尺寸为 16 × 15 × 5 mm，可实现最高 3 W 的总功率输出，为多个功率 IC 提供紧凑的驱动解决方案。
PMG7277NLT：≤5mm 超薄设计，专为 SiC/GaN 功率器件高效驱动
PMG7277NLT 针对 TI UCC25800-Q1 或同等类型的 LLC 控制器进行优化设计，其绕组间电容低于 2.8 pF，超低绕组间电容有助于将偏置变压器中的共模电流注入降低一个数量级，使其适用于 SiC MOSFET 高频开关驱动电路。此外，软开关特性可进一步降低 EMI 噪声。
在结构设计方面，PMG7277NLT 采用矩形磁芯与分段绕组设计，实现低高度封装。在电气设计方面，该产品采用功能绝缘，并提供 3000 Vrms 电气隔离能力，额定电压最高可达 1300 Vpk。
凭借紧凑的封装设计、超低绕组间电容及高压隔离能力，该产品适用于电动汽车充电、电机驱动、逆变器、及高频开关电源应用。
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