Diodes推出双通道隔离栅极驱动器,为开关应用提供灵活可靠的半桥与独立栅极驱动拓扑

Diodes 公司(Diodes)(纳斯达克代码:DIOD)今日宣布在其RobustISO™隔离产品系列中推出API21550/API21552系列双通道隔离栅极驱动器。这些器件面向需要可靠高压隔离及可靠信号传输以驱动功率开关的系统工程师。应用包括电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统(BMS)、服务器、IT与工业基础设施,以及高压DC-DC转换器。

API21550/API21552 系列采用硅基电容隔离壁垒,可承受最高13kVRMS的击穿电压,预测隔离壁垒使用寿命超过40年*。这些器件可实现最低150V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI),有助于在高压开关环境中常见的快速电压瞬变情况下维持信号完整性。API21550/API21552 系列可提供最高4A的峰值拉电流与6A的峰值灌电流能力,输出侧支持最高30V供电电压,输入侧支持3V至5.5V的供电电压。两款器件均具有较短的传播延迟(典型值40ns),极低的脉宽失真(最大值7ns),并配备外部禁用功能。依据封装不同,这些器件可提供强化隔离,隔离耐压(VISO)最高可达5.7kVRMS,浪涌隔离电压最高可达12.8kVpk。

API21550具备独立的高低侧驱动输出,支持可调死区时间(Deadtime),可提供直通保护,专为隔离半桥驱动应用优化。API21552则具备双独立驱动输出, 支持双低侧、双高侧和半桥栅极驱动应用。

RobustISO API21550/API21552系列的集成功能包括用于提高抗噪性能的5ns去毛刺滤波器、用于保障输出安全的主动下拉功能,以及输入与输出电源轨的欠压锁定(UVLO)功能。这些功能使器件能够支持多种开关驱动应用场景,包括硅基MOSFET与IGBT,以及碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带功率器件。

API21550/API21552 系列提供SO-16W(CJ型)、SO-14W(CJ型)及SO-16(CJ型)三种封装。

这些器件正在 electronica 2026 展会上进行演示,作为Diodes高压转 48V 电源转换演示的一部分,参观者可于 C6 馆211 号展位进行参观。

符合汽车标准**的版本API21550Q/API21552Q也已同步推出,适用于汽车应用。

有关RobustISO 系列的更多信息,请访问: https://www.diodes.com/products/isolation。

👍 点赞 · 0