圣邦微电子推出100V耐压的半桥栅极驱动器SGM48218。器件为驱动增强型氮化镓晶体管（E-mode GaN HEMT）量身打造，满足GaN HEMT在AI服务器砖块电源、机器人关节驱动、光储、Class D放大器等高功率密度场景的爆发式应用需求。
图1 SGM48218典型应用电路
三大核心优势，直击GaN HEMT驱动痛点
主动自举控制
SGM48218专为驱动E-mode GaN HEMT而设计，其独特的主动自举控制功能可以有效抑制因低边功率管续流所引发的高边自举电源轨过充。这一特性使其在氮化镓半桥或全桥驱动应用中表现得尤为出色。
驱动电压灵活适配
SGM48218支持高达6V的驱动电源电压，能适配不同厂家GaN HEMT的栅源电压范围要求，助力客户实现对GaN HEMT的充分驱动。
分立输出架构
SGM48218被设计为分立输出（Split Output）架构，支持客户对负载GaN HEMT的开通和关断控制做灵活配置。器件具备低且稳定的传输延时（典型值18ns）及优异的延迟失配（典型值1.5ns），出色的过充抑制与超低的自举压降加持，确保氮化镓半桥电路中上下管驱动的高度一致性。
SGM48218典型电气特性一览
- 单电源供电范围：4.5V至6.0V；
- 驱动能力：峰值拉电流：1.7A（TYP）、峰值灌电流：5.2A（TYP）；
- 最小输入脉宽：低至5ns；
- 传输延时：18ns（TYP）；
- 延迟失配：1.5ns（TYP）；
- HS（SW）中点电压耐受范围：-10V至110V（20ns）；
- HS（SW）中点电压变化率：50V/ns；
- 附加功能：输入电压过压检测功能（仅TQFN-3×3-14L封装支持）；
- 封装选择：符合环保理念的TQFN-3×3-14L、WLCSP-1.65×1.65-12B和UTQFN-2×2-12CL（即将推出）绿色封装。
图2 SGM48218封装引脚图
SGM48218典型应用场景
- 48V及以下DC/DC变换器；
- 电池化成设备；
- 通信电源；
- 服务器电源；
- 机器人电机驱动。
文章来源：圣邦微电子