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计算电机驱动器功耗:这四个功耗源,一个也不能遗漏!

<p><strong>计算电机驱动器的功耗</strong></p>

<p>在为特定应用选择电机驱动器IC时,一个关键考虑因素是可通过该器件驱动的最大电流。器件和PCB的热性能常常限制了电机驱动器能够安全处理的电流。正因如此,在设计电机应用时,计算电机驱动器的总功耗至关重要。</p>

<p>要计算电机驱动器中的近似功耗,必须考虑电机驱动器IC内部的所有功耗源,例如FET导通电阻中的功耗。</p>

<p><strong>1. R<sub>ds(on)</sub>耗散</strong></p>

<p>电机驱动器IC内最大的功耗源是FET导通电阻或R<sub>ds(on)</sub>中的功耗。例如,H桥(使用高边FET和低边FET)的功耗为:</p>

<p><img alt="功耗" data-entity-type="file" data-entity-uuid="7d6aad46-6a59-4086-aaad-a7000ae962f3" src="/sites/default/files/inline-images/01_102.png" /></p>

<p>其中,P<sub>(Rds)</sub>为输出FET中的功耗;HS为高边FET的电阻;LS为低边FET的电阻,I<sub>o</sub>是加载到电机中的RMS输出电流。</p>

<p>清注意:</p>

<p>R<sub>ds(on)</sub>会随温度升高而增加,因为器件变热时,功耗也随之增加。</p>

<p><strong>2. 开关损耗</strong></p>

<p>当输出从高电平转换为低电平或从低电平转换为高电平时,输出器件会穿过一个线性区域,在该区域,它们的功耗会明显高于完全导通时的功耗。这种功耗称为开关损耗。</p>

<p>在近似计算中,各输出的开关损耗为:</p>

<p><img alt="开关损耗" data-entity-type="file" data-entity-uuid="776d85a2-c068-4319-9a72-84045669372a" src="/sites/default/files/inline-images/02_106.png" /></p>

<p>其中,Psw为一个输出的总开关损耗(以瓦特为单位);P(RISE)为上升沿期间的功耗;P(FALL)为下降沿期间的功耗。</p>

<p>展开上述方程:</p>

<p><img alt="方程" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a6ea098f-cc87-4311-8045-28d62e528dc5" src="/sites/default/files/inline-images/03_88.png" /></p>

<p>其中,V<sub>m</sub>为电源电压(以伏特为单位);I<sub>out</sub>为输出电流(以安培为单位);t<sub>R</sub>为上升时间(以秒为单位);t<sub>F</sub>为下降时间(以秒为单位);f<sub>sw</sub>为开关频率(以赫兹为单位)。</p>

<p>大多数情况下,t<sub>R</sub>和t<sub>F</sub>的值均包含在驱动器的规格书中。</p>

<p><strong>3. 工作电源电流耗散</strong></p>

<p>在实际应用中,电机驱动器IC会消耗一些电流。此功耗的计算公式如下:</p>

<p><img alt="功耗的计算公式" data-entity-type="file" data-entity-uuid="d96e4eeb-3142-4e99-bdc9-412c36063e5f" src="/sites/default/files/inline-images/04_72.png" /></p>

<p>其中,V<sub>m</sub>为电机驱动器的工作电压;Im为电机驱动器的工作电流。</p>

<p><strong>4. 其他功耗</strong></p>

<p>在某些电机应用中,你可能希望使用LDO调节器来提供外部电源负载。此功耗的计算公式如下:</p>

<p><img alt="功耗的计算公式" data-entity-type="file" data-entity-uuid="d0dad2ec-c76c-40e7-a3a6-4627fbbc717e" src="/sites/default/files/inline-images/05_54.png" /><br />
&nbsp;</p>

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