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去耦电容的有效使用方法(要点2)——降低电容的ESL

<p>去耦电容的有效使用方法的第二个要点是降低电容的ESL(即等效串联电感)。虽说是“降低ESL”,但由于无法改变单个产品的ESL本身,因此这里是指“即使容值相同,也要使用ESL小的电容”。通过降低ESL,可改善高频特性,并可更有效地降低高频噪声。</p>

<p><strong>・即使容值相同也要使用尺寸较小的电容</strong></p>

<p>对于积层陶瓷电容(MLCC),有时会准备容值相同但尺寸不同的几个封装。ESL取决于引脚部位的结构。尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小,通常ESL较小。</p>

<p>下图是容值相同、大小不同的电容的频率特性示例。如图所示,更小的1005尺寸的谐振频率更高,在之后感性区域的频率范围阻抗较低。这正如在“电容的频率特性”中所介绍的,电容的谐振频率是基于以下公式的,从公式中可见,只要容值相同,ESL越低谐振频率越高。另外,感性区域的阻抗特性取决于ESL,这一点也曾介绍过。</p>

<p><img alt="频率特性示例" data-entity-type="file" data-entity-uuid="33d6c646-e263-46f4-86ac-dc3f2d905f44" src="/sites/default/files/inline-images/EMC-12_graf_01.gif" /></p>

<p><img alt="公式" data-entity-type="file" data-entity-uuid="5cdbb5f7-4472-42ca-bd28-9bbfc723aaf8" src="/sites/default/files/inline-images/EMC-12_graf_02.gif" /></p>

<p>关于噪声对策,当需要降低更高频段的噪声时,可以选择尺寸小的电容。</p>

<p><strong>・使用旨在降低ESL的电容</strong></p>

<p>积层陶瓷电容中,有些型号采用的是旨在降低ESL的形状和结构。</p>

<p><img alt="使用旨在降低ESL的电容" data-entity-type="file" data-entity-uuid="9c89369b-c429-4fbc-8731-adaca6bb24f6" src="/sites/default/files/inline-images/EMC-12_graf_03.gif" /></p>

<p>如图所示,普通电容的电极在短边侧,而LW逆转型的电极则相反,在长边侧。由于L(长度)和W(宽度)相反,故称“LW逆转型”。是通过增加电极的宽度来降低ESL的类型。</p>

<p>三端电容是为了改善普通电容(两个引脚)的频率特性而优化了结构的电容。三端电容是将双引脚电容的一个引脚(电极)的另一端向外伸出作为直通引脚,将另一个引脚作为GND引脚。在上图中,输入输出电极相当于两端伸出的直通引脚,左右的电极当然是导通的。这种输入输出电极(直通引脚)和GND电极间存在电介质,起到电容的作用。</p>

<p>将输入输出电极串联插入电源或信号线(将输入输出电极的一端连接输入端,另一端连接输出端),GND电极接地。这样,由于输入输出电极的ESL不包括在接地端,因此接地的阻抗变得非常低。另外,输入输出电极的ESL通过在噪声路径直接插入,有利于降低噪声(增加插入损耗)。</p>

<p>通过在长边侧成对配置GND电极,可抑制ESL;再采用并联的方式,可使ESL减半。</p>

<p>基于这样的结构,三端电容不仅具有非常低的ESL,而且可保持低ESR,与相同容值相同尺寸的双引脚型电容相比,可显著改善高频特性。</p>

<p>下一篇文章计划对相关的几点注意事项进行介绍。</p>

<p><strong>关键要点:</strong><br />
・去耦电容的有效使用方法有两个要点:①使用多个电容,②降低电容的ESL。</p>

<p>・通过降低电容的ESL,可改善高频特性,并可更有效地降低高频噪声。</p>

<p>・有的电容虽然容值相同,但因尺寸和结构不同而ESL更小。</p>

<p>本文转载自:<a href="https://techclass.rohm.com.cn/knowledge/emc/s-emc/03-s-emc/7785">罗姆官网</…;