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如何准确测量开关损耗?

<section data-source="bj.96weixin.com">
<section>
<section>
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<section data-source="bj.96weixin.com">
<section>
<section>
<section>
<section>
<section data-source="bj.96weixin.com">
<section>
<section>
<section>
<section>
<section>
<section data-color="#007ecc" data-id="93466" data-tools="135编辑器">
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-autoskip="1">
<p>一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢?</p>
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</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>
</section>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>开关损耗</strong></section>
</section>
</section>
</section>
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<p>由于开关管是非理想型器件,其工作过程可划分为四种状态,如图1所示。“导通状态”表示开关管处于导通状态;“关闭状态”表示开关管处于关闭状态;“导通过程”是指开关管从关闭转换成导通状态;“关闭过程”指开关管从导通转换成关闭状态。一般来说,主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”,小部分能量体现在“导通状态”,而“关闭状态”的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。</p>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="02aa5a2f-4622-4971-99d1-a3f366000ead" src="/sites/default/files/inline-images/1_32.png" /></p>

<p><em>图1 开关管四种状态划分</em></p>

<p>实际的测量波形图一般如图2所示。</p>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="2d387afb-f7aa-4a23-8a15-e42575555738" src="/sites/default/files/inline-images/2_30.png" /></p>

<p><em>图2 开关管实际功率损耗测试</em></p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>导通过程损耗</strong></section>
</section>
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<p>晶体管开关电路在转换过程中消耗的能量通常会很大,因为电路寄生信号会阻止设备立即开关,该状态的电压与电流处于交变的状态,因此很难直接计算功耗,以往的做法,将电压与电流认为是线性的,这样可以通过求三角形的面积来粗略计算损耗,但这是不够准确的。对于数字示波器来说,通过都会提供高级数学运算功能,因此可以使用下面的公式计算导通过程的损耗。</p>

<p><img alt="3" data-entity-type="file" data-entity-uuid="64b7b5a0-dfcd-4e94-bfd3-751ed8b8030b" src="/sites/default/files/inline-images/3_31.png" /></p>

<p>Eon表示导通过程的损耗能量;</p>

<p>Pon表示导通过程的平均损耗功率(有功功率);</p>

<p>Vds、Id分别表示瞬时电压和电流;</p>

<p>Ts表示开关周期;</p>

<p>t0、t1表示导通过程的开始时间与结束时间。</p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>关闭过程损耗</strong></section>
</section>
</section>
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<p>关闭过程损耗与导通过程损耗计算方法相同,区别是积分的开始与结束时间不同。</p>

<p><img alt="4" data-entity-type="file" data-entity-uuid="b8d8a5e7-cff3-4669-ae23-ee11acca006b" src="/sites/default/files/inline-images/4_27.png" /></p>

<p>Eoff表示关闭过程的损耗能量;</p>

<p>Poff表示关闭过程的平均损耗功率(有功功率);</p>

<p>Vds、Id分别表示瞬时电压和电流;</p>

<p>Ts表示开关周期;</p>

<p>t2、t3表示关闭过程的开始时间与结束时间。</p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>导通损耗</strong></section>
</section>
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<p>导通状态下,开关管通常会流过很大的电流,但开关管的导通电阻很小,通常是毫欧级别,所以导通状态下损耗能量相对来说是比较少的,但亦不能忽略。使用示波器测量导通损耗,不建议使用电压乘电流的积分的来计算,因为示波器无法准确测量导通时微小电压。举个例子,开关管通常关闭时电压为500V,导通时为100mV,假设示波器的精度为±1‰(这是个非常牛的指标),最小测量精度为±500mV,要准确测量100mV是不可能的,甚至有可能测出来的电压是负的(100mV-500mV)。</p>

<p>由于导通时的微小电压,无法准确测量,所以使用电压乘电流的积分的方法计算的能量损耗误差会很大。相反,导通时电流是很大的,所以能测量准确,因此可以使用电流与导通电阻来计算损耗,如下面公式:</p>

<p><img alt="6" data-entity-type="file" data-entity-uuid="858009f3-8204-47f1-8d07-970922c5e090" src="/sites/default/files/inline-images/5_23.png" /></p>

<p>Econd表示导通状态的损耗能量;</p>

<p>Pcond表示导通状态的平均损耗功率(有功功率);</p>

<p>Id分别表示瞬时电流;</p>

<p>Rds(on)表示开关管的导通电阻,在开关管会给出该指标,如图2所示;</p>

<p>Ts表示开关周期;</p>

<p>t1、t2表示导通状态的开始时间与结束时间。</p>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="1b867140-a8cb-4d34-a765-dff1e36d2df6" src="/sites/default/files/inline-images/11_17.png" /></p>

<p><em>图3 导通电阻与电流的关系</em></p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>开关损耗</strong></section>
</section>
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</section>

<p>开关损耗指的是总体的能量损耗,由导通过程损耗、关闭过程损耗、导通损耗组成,使用下面公式计算:</p>

<p><img alt="7" data-entity-type="file" data-entity-uuid="7aba5c5f-8edc-4452-bd08-8bc616b43045" src="/sites/default/files/inline-images/7_22.png" /></p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
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<p><strong>开关损耗分析插件</strong></p>
</section>
</section>
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<p>高端示波器通常亦集成了开关损耗分析插件,由于导通状态电压测量不准确,所以导通状态的计算公式是可以修改的,主要有三种:</p>

<ul>
<li>
<p>UI,U和I均为测量值;</p>
</li>
<li>
<p>I²R,I为测量值,R为导通电阻,由用户输入Rds(on);</p>
</li>
<li>
<p>UceI,I为测量值,Uce为用户输入的电压值,用于弥补电压电压测不准的问题。</p>
</li>
</ul>

<p>一般建议使用I²R的公式,下图是ZDS4000 Plus的开关损耗测试图。</p>

<p><img alt="1" data-entity-type="file" data-entity-uuid="a92a2d53-c969-4d59-aa65-76948649f3d1" src="/sites/default/files/inline-images/8_16.png" /></p>

<p><em>图4 开关损耗测试结果图</em></p>

<section data-role="outer" label="Powered by 135editor.com">
<section data-color="#007ecc" data-id="93396" data-tools="135编辑器">
<section>
<section data-width="100%">
<section>
<section>
<section data-brushtype="text"><strong>总结</strong></section>
</section>
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<p>开关损耗测试对于器件评估非常关键,通过专业的电源分析插件,可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估,相对于手动分析来说,更加简单方便。对于MOSFET来说,I²R的导通损耗计算公式是最好的选择。</p>

<p>来源:&nbsp;<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/Vw5n7Tb6cPYO1o4sPdQOyA&quot; id="js_name">ZLG立功科技一致远电子</a></p>