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村田可薄至85μm的超低ESL硅电容器

<p>UESL系列是以高速用途的电源完整性、信号完整性为目标生产的。由于超低ESL(等效串联电感)和出色的高频特性,最适合电源去耦和高速数字IC的旁路用途。此外,以超薄型(85μm以下)为特点的UESL系列,可以实现严格限制高度的先进组装技术(处理器封装、BGA的局域网端、嵌入式封装等)。依靠村田应用半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),实现了对于DC电压和温度的高稳定性,因此UESL电容器无需考虑去耦。</p>

<p>例如:<br />
-UESL 0404 450nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的1μF。<br />
-UESL 0402M 180nF的有效静电容量等同于X5R MLCC的400μF。</p>

<p><strong>特点</strong></p>

<ul>
<li>超薄型85μm</li>
<li>ESR和ESL极低</li>
<li>稳定性很高</li>
<li>低漏电流</li>
<li>采用无铅的NiAu镀层,也能利用自动焊接技术回流,或者进行人工作业。也能根据要求提供其他电极。</li>
</ul>

<p>(详情见本公司的封装应用说明)</p>

<p><strong>用途</strong></p>

<ul>
<li>适合高速IC的电源完整性</li>
<li>抑制电源噪声</li>
<li>电源分配网络的去耦</li>
<li>嵌入式电压调节器的旁路</li>
<li>高速接口的信号完整性</li>
<li>抑制高频噪声</li>
<li>用于智能手机的应用处理器、电源线的去耦</li>
<li>要求超薄型的所有用途</li>
</ul>

<p><strong>UESL系列规格</strong></p>
<img alt="UESL系列规格" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="157a3cee-753b-42fe-8fc4-fd98936ae680" src="/sites/default/files/inline-images/UESL%E7%B3%BB%E5%88%97%E8%A7%84%E6%A0%BC.PNG" />
<p>(*) 也能根据客户要求支持其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 规格值因产品而异</p>