<p>很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历，或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点，那就导致很多的英文术语被翻译为中文之后，很多人不能对照得上，或者不知道怎么翻译。在这里我们整理一些常用的半导体术语的中英文版本，希望对大家有所帮助。如果当中有出错，请帮忙纠正，谢谢！</p>
<p><strong>常用半导体中英对照表</strong></p>
<p>离子注入机 ion implanter</p>
<p>LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。</p>
<p>沟道效应 channeling effect</p>
<p>射程分布 range distribution</p>
<p>深度分布 depth distribution</p>
<p>投影射程 projected range</p>
<p>阻止距离 stopping distance</p>
<p>阻止本领 stopping power</p>
<p>标准阻止截面 standard stopping cross section</p>
<p>退火 annealing</p>
<p>激活能 activation energy</p>
<p>等温退火 isothermal annealing</p>
<p>激光退火 laser annealing</p>
<p>应力感生缺陷 stress-induced defect</p>
<p>择优取向 preferred orientation</p>
<p>制版工艺 mask-making technology</p>
<p>图形畸变 pattern distortion</p>
<p>初缩 first minification</p>
<p>精缩 final minification</p>
<p>母版 master mask</p>
<p>铬版 chromium plate</p>
<p>干版 dry plate</p>
<p>乳胶版 emulsion plate</p>
<p>透明版 see-through plate</p>
<p>高分辨率版 high resolution plate, HRP</p>
<p>超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization</p>
<p>掩模 mask</p>
<p>掩模对准 mask alignment</p>
<p>对准精度 alignment precision</p>
<p>光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。</p>
<p>负性光刻胶 negative photoresist</p>
<p>正性光刻胶 positive photoresist</p>
<p>无机光刻胶 inorganic resist</p>
<p>多层光刻胶 multilevel resist</p>
<p>电子束光刻胶 electron beam resist</p>
<p>X射线光刻胶 X-ray resist</p>
<p>刷洗 scrubbing</p>
<p>甩胶 spinning</p>
<p>涂胶 photoresist coating</p>
<p>后烘 postbaking</p>
<p>光刻 photolithography</p>
<p>X射线光刻 X-ray lithography</p>
<p>电子束光刻 electron beam lithography</p>
<p>离子束光刻 ion beam lithography</p>
<p>深紫外光刻 deep-UV lithography</p>
<p>光刻机 mask aligner</p>
<p>投影光刻机 projection mask aligner</p>
<p>曝光 exposure</p>
<p>接触式曝光法 contact exposure method</p>
<p>接近式曝光法 proximity exposure method</p>
<p>光学投影曝光法 optical projection exposure method</p>
<p>电子束曝光系统 electron beam exposure system</p>
<p>分步重复系统 step-and-repeat system</p>
<p>显影 development</p>
<p>线宽 linewidth</p>
<p>去胶 stripping of photoresist</p>
<p>氧化去胶 removing of photoresist by oxidation</p>
<p>等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma</p>
<p>刻蚀 etching</p>
<p>干法刻蚀 dry etching</p>
<p>反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE</p>
<p>各向同性刻蚀 isotropic etching</p>
<p>各向异性刻蚀 anisotropic etching</p>
<p>反应溅射刻蚀 reactive sputter etching</p>
<p>离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。</p>
<p>等离子［体］刻蚀 plasma etching</p>
<p>钻蚀 undercutting</p>
<p>剥离技术 lift-off technology，又称“浮脱工艺”。</p>
<p>终点监测 endpoint monitoring</p>
<p>金属化 metallization</p>
<p>互连 interconnection</p>
<p>多层金属化 multilevel metallization</p>
<p>电迁徙 electromigration</p>
<p>回流 reflow</p>
<p>磷硅玻璃 phosphorosilicate glass</p>
<p>硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass</p>
<p>钝化工艺 passivation technology</p>
<p>多层介质钝化 multilayer dielectric passivation</p>
<p>划片 scribing</p>
<p>电子束切片 electron beam slicing</p>
<p>烧结 sintering</p>
<p>印压 indentation</p>
<p>热压焊 thermocompression bonding</p>
<p>热超声焊 thermosonic bonding</p>
<p>冷焊 cold welding</p>
<p>点焊 spot welding</p>
<p>球焊 ball bonding</p>
<p>楔焊 wedge bonding</p>
<p>内引线焊接 inner lead bonding</p>
<p>外引线焊接 outer lead bonding</p>
<p>梁式引线 beam lead</p>
<p>装架工艺 mounting technology</p>
<p>附着 adhesion</p>
<p>封装 packaging</p>
<p>金属封装 metallic packaging</p>
<p>陶瓷封装 ceramic packaging</p>
<p>扁平封装 flat packaging</p>
<p>塑封 plastic package</p>
<p>玻璃封装 glass packaging</p>
<p>微封装 micropackaging，又称“微组装”。</p>
<p>管壳 package</p>
<p>管芯 die</p>
<p>引线键合 lead bonding</p>
<p>引线框式键合 lead frame bonding</p>
<p>带式自动键合 tape automated bonding, TAB</p>
<p>激光键合 laser bonding</p>
<p>超声键合 ultrasonic bonding</p>
<p>红外键合 infrared bonding</p>
<p><strong>微电子辞典大集合</strong></p>
<p><strong>（按首字母顺序排序）</strong></p>
<p><strong>A</strong></p>
<p>Abrupt junction 突变结</p>
<p>Accelerated testing 加速实验 </p>
<p>Acceptor 受主 </p>
<p>Acceptor atom 受主原子 </p>
<p>Accumulation 积累、堆积 </p>
<p>Accumulating contact 积累接触 </p>
<p>Accumulation region 积累区 </p>
<p>Accumulation layer 积累层 </p>
<p>Active region 有源区 </p>
<p>Active component 有源元 </p>
<p>Active device 有源器件 </p>
<p>Activation 激活 </p>
<p>Activation energy 激活能 </p>
<p>Active region 有源（放大）区 </p>
<p>Admittance 导纳 </p>
<p>Allowed band 允带 </p>
<p>Alloy-junction device</p>
<p>合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 </p>
<p>Aluminum – oxide 铝氧化物 </p>
<p>Aluminum passivation 铝钝化 </p>
<p>Ambipolar 双极的</p>
<p>Ambient temperature 环境温度 </p>
<p>Amorphous 无定形的，非晶体的 </p>
<p>Amplifier 功放 扩音器 放大器 </p>
<p>Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 </p>
<p>Anneal 退火 </p>
<p>Anisotropic 各向异性的 </p>
<p>Anode 阳极 </p>
<p>Arsenic (AS) 砷 </p>
<p>Auger 俄歇 </p>
<p>Auger process 俄歇过程 </p>
<p>Avalanche 雪崩 </p>
<p>Avalanche breakdown 雪崩击穿 </p>
<p>Avalanche excitation雪崩激发 </p>
<p><strong>B</strong></p>
<p>Background carrier 本底载流子 </p>
<p>Background doping 本底掺杂 </p>
<p>Backward 反向 </p>
<p>Backward bias 反向偏置 </p>
<p>Ballasting resistor 整流电阻 </p>
<p>Ball bond 球形键合 </p>
<p>Band 能带 </p>
<p>Band gap 能带间隙 </p>
<p>Barrier 势垒 </p>
<p>Barrier layer 势垒层 </p>
<p>Barrier width 势垒宽度 </p>
<p>Base 基极 </p>
<p>Base contact 基区接触 </p>
<p>Base stretching 基区扩展效应 </p>
<p>Base transit time 基区渡越时间 </p>
<p>Base transport efficiency基区输运系数 </p>
<p>Base-width modulation基区宽度调制 </p>
<p>Basis vector 基矢 </p>
<p>Bias 偏置 </p>
<p>Bilateral switch 双向开关 </p>
<p>Binary code 二进制代码</p>
<p>Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 </p>
<p>Bipolar 双极性的 </p>
<p>Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 </p>
<p>Bloch 布洛赫 </p>
<p>Blocking band 阻挡能带 </p>
<p>Blocking contact 阻挡接触 </p>
<p>Body - centered 体心立方 </p>
<p>Body-centred cubic structure 体立心结构 </p>
<p>Boltzmann 波尔兹曼 </p>
<p>Bond 键、键合 </p>
<p>Bonding electron 价电子 </p>
<p>Bonding pad 键合点 </p>
<p>Bootstrap circuit 自举电路 </p>
<p>Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器</p>
<p>Boron 硼 </p>
<p>Borosilicate glass 硼硅玻璃 </p>
<p>Boundary condition 边界条件 </p>
<p>Bound electron 束缚电子 </p>
<p>Breadboard 模拟板、实验板 </p>
<p>Break down 击穿 </p>
<p>Break over 转折 </p>
<p>Brillouin 布里渊 </p>
<p>Brillouin zone 布里渊区 </p>
<p>Built-in 内建的 </p>
<p>Build-in electric field 内建电场 </p>
<p>Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 </p>
<p>Bulk generation 体产生 </p>
<p>Bulk recombination 体复合 </p>
<p>Burn - in 老化 </p>
<p>Burn out 烧毁 </p>
<p>Buried channel 埋沟 </p>
<p>Buried diffusion region 隐埋扩散区 </p>
<p><strong>C</strong></p>
<p>Can 外壳 </p>
<p>Capacitance 电容 </p>
<p>Capture cross section 俘获截面 </p>
<p>Capture carrier 俘获载流子 </p>
<p>Carrier 载流子、载波</p>
<p>Carry bit 进位位 </p>
<p>Carry-in bit 进位输入 </p>
<p>Carry-out bit 进位输出 </p>
<p>Cascade 级联 </p>
<p>Case 管壳 </p>
<p>Cathode 阴极</p>
<p>Center 中心 </p>
<p>Ceramic 陶瓷（的） </p>
<p>Channel 沟道 </p>
<p>Channel breakdown 沟道击穿</p>
<p>Channel current 沟道电流 </p>
<p>Channel doping 沟道掺杂 </p>
<p>Channel shortening 沟道缩短 </p>
<p>Channel width 沟道宽度 </p>
<p>Characteristic impedance 特征阻抗 </p>
<p>Charge 电荷、充电 </p>
<p>Charge-compensation effects 电荷补偿效应 </p>
<p>Charge conservation 电荷守恒 </p>
<p>Charge neutrality condition 电中性条件 </p>
<p>Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 </p>
<p>Chemmical etching 化学腐蚀法 </p>
<p>Chemically-Polish 化学抛光 </p>
<p>Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 </p>
<p>Chip yield 芯片成品率 </p>
<p>Clamped 箝位 </p>
<p>Clamping diode 箝位二极管 </p>
<p>Cleavage plane 解理面 </p>
<p>Clock rate 时钟频率 </p>
<p>Clock generator 时钟发生器 </p>
<p>Clock flip-flop 时钟触发器 </p>
<p>Close-packed structure 密堆积结构 </p>
<p>Close-loop gain 闭环增益</p>
<p>Collector 集电极 </p>
<p>Collision 碰撞 </p>
<p>Compensated OP-AMP 补偿运放 </p>
<p>Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 </p>
<p>Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 </p>
<p>Common-mode gain 共模增益 </p>
<p>Common-mode input 共模输入 </p>
<p>Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 </p>
<p>Compatibility 兼容性 </p>
<p>Compensation 补偿 </p>
<p>Compensated impurities 补偿杂质 </p>
<p>Compensated semiconductor 补偿半导体 </p>
<p>Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 </p>
<p>Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) </p>
<p>互补金属氧化物半导体场效应晶体管 </p>
<p>Complementary error function 余误差函数 </p>
<p>Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制 </p>
<p>造 </p>
<p>Compound Semiconductor 化合物半导体 </p>
<p>Conductance 电导 </p>
<p>Conduction band (edge) 导带(底) </p>
<p>Conduction level/state 导带态 </p>
<p>Conductor 导体</p>
<p>Conductivity 电导率 </p>
<p>Configuration 组态</p>
<p>Conlomb 库仑 </p>
<p>Conpled Configuration Devices 结构组态 </p>
<p>Constants 物理常数 </p>
<p>Constant energy surface 等能面 </p>
<p>Constant-source diffusion恒定源扩散 </p>
<p>Contact 接触 </p>
<p>Contamination 治污 </p>
<p>Continuity equation 连续性方程</p>
<p>Contact hole 接触孔 </p>
<p>Contact potential 接触电势 </p>
<p>Continuity condition 连续性条件 </p>
<p>Contra doping 反掺杂 </p>
<p>Controlled 受控的 </p>
<p>Converter 转换器 </p>
<p>Conveyer 传输器 </p>
<p>Copper interconnection system 铜互连系统</p>
<p>Couping 耦合 </p>
<p>Covalent 共阶的 </p>
<p>Crossover 跨交 </p>
<p>Critical 临界的 </p>
<p>Crossunder 穿交 </p>
<p>Crucible坩埚 </p>
<p>Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶 格 </p>
<p>Current density 电流密度</p>
<p>Curvature 曲率 </p>
<p>Cut off 截止 </p>
<p>Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 </p>
<p>Current Sense 电流取样 </p>
<p>Curvature 弯曲 </p>
<p>Custom integrated circuit 定制集成电路 </p>
<p>Cylindrical 柱面的 </p>
<p>Czochralshicrystal 直立单晶 </p>
<p>Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） </p>
<p><strong>D</strong></p>
<p>Dangling bonds 悬挂键 </p>
<p>Dark current 暗电流 </p>
<p>Dead time 空载时间 </p>
<p>Debye length 德拜长度 </p>
<p>De.broglie 德布洛意 </p>
<p>Decderate 减速 </p>
<p>Decibel (dB) 分贝 </p>
<p>Decode 译码 </p>
<p>Deep acceptor level 深受主能级 </p>
<p>Deep donor level 深施主能级 </p>
<p>Deep impurity level 深度杂质能级 </p>
<p>Deep trap 深陷阱 </p>
<p>Defeat 缺陷 </p>
<p>Degenerate semiconductor 简并半导体 </p>
<p>Degeneracy 简并度 </p>
<p>Degradation 退化 </p>
<p>Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 </p>
<p>Delay 延迟 Density 密度 </p>
<p>Density of states 态密度 </p>
<p>Depletion 耗尽 </p>
<p>Depletion approximation 耗尽近似 </p>
<p>Depletion contact 耗尽接触 </p>
<p>Depletion depth 耗尽深度 </p>
<p>Depletion effect 耗尽效应 </p>
<p>Depletion layer 耗尽层 </p>
<p>Depletion MOS 耗尽MOS </p>
<p>Depletion region 耗尽区 </p>
<p>Deposited film 淀积薄膜 </p>
<p>Deposition process 淀积工艺 </p>
<p>Design rules 设计规则 </p>
<p>Die 芯片（复数dice） </p>
<p>Diode 二极管 </p>
<p>Dielectric 介电的 </p>
<p>Dielectric isolation 介质隔离 </p>
<p>Difference-mode input 差模输入 </p>
<p>Differential amplifier 差分放大器 </p>
<p>Differential capacitance 微分电容 </p>
<p>Diffused junction 扩散结 </p>
<p>Diffusion 扩散 </p>
<p>Diffusion coefficient 扩散系数 </p>
<p>Diffusion constant 扩散常数</p>
<p>Diffusivity 扩散率 </p>
<p>Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 </p>
<p>Digital circuit 数字电路 </p>
<p>Dipole domain 偶极畴 </p>
<p>Dipole layer 偶极层 </p>
<p>Direct-coupling 直接耦合 </p>
<p>Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 </p>
<p>Direct transition 直接跃迁 </p>
<p>Discharge 放电 </p>
<p>Discrete component 分立元件 </p>
<p>Dissipation 耗散 </p>
<p>Distribution 分布 </p>
<p>Distributed capacitance 分布电容 </p>
<p>Distributed model 分布模型 </p>
<p>Displacement 位移 Dislocation 位错 </p>
<p>Domain 畴 Donor 施主 </p>
<p>Donor exhaustion 施主耗尽 </p>
<p>Dopant 掺杂剂 </p>
<p>Doped semiconductor 掺杂半导体 </p>
<p>Doping concentration 掺杂浓度 </p>
<p>Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. </p>
<p>Drift 漂移 Drift field 漂移电场 </p>
<p>Drift mobility 迁移率 </p>
<p>Dry etching 干法腐蚀 </p>
<p>Dry/wet oxidation 干/湿法氧化</p>
<p>Dose 剂量 </p>
<p>Duty cycle 工作周期 </p>
<p>Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 </p>
<p>Dynamics 动态 </p>
<p>Dynamic characteristics 动态属性 </p>
<p>Dynamic impedance 动态阻抗 </p>
<p><strong>E</strong></p>
<p>Early effect 厄利效应 </p>
<p>Early failure 早期失效 </p>
<p>Effective mass 有效质量 </p>
<p>Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系 </p>
<p>Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器 </p>
<p>Electrode 电极 </p>
<p>Electrominggratim 电迁移 </p>
<p>Electron affinity 电子亲和势 </p>
<p>Electronic -grade 电子能 </p>
<p>Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光 </p>
<p>Electron gas 电子气 </p>
<p>Electron-grade water 电子级纯水 </p>
<p>Electron trapping center 电子俘获中心 </p>
<p>Electron Volt (eV) 电子伏 </p>
<p>Electrostatic 静电的</p>
<p>Element 元素/元件/配件 </p>
<p>Elemental semiconductor 元素半导体</p>
<p>Ellipse 椭圆 </p>
<p>Ellipsoid 椭球 </p>
<p>Emitter 发射极 </p>
<p>Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑</p>
<p>Emitter-coupled pair 发射极耦合对 </p>
<p>Emitter follower 射随器 </p>
<p>Empty band 空带 </p>
<p>Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应 </p>
<p>Endurance test =life test 寿命测试 </p>
<p>Energy state 能态 </p>
<p>Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 </p>
<p>Enhancement mode 增强型模式 </p>
<p>Enhancement MOS 增强性</p>
<p>MOS Entefic (低)共溶的 </p>
<p>Environmental test 环境测试 </p>
<p>Epitaxial 外延的 </p>
<p>Epitaxial layer 外延层 </p>
<p>Epitaxial slice 外延片 </p>
<p>Expitaxy 外延 </p>
<p>Equivalent curcuit 等效电路 </p>
<p>Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子 </p>
<p>Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器 </p>
<p>Error function complement 余误差函数 </p>
<p>Etch 刻蚀 </p>
<p>Etchant 刻蚀剂 </p>
<p>Etching mask 抗蚀剂掩模 </p>
<p>Excess carrier 过剩载流子 </p>
<p>Excitation energy 激发能 </p>
<p>Excited state 激发态 </p>
<p>Exciton 激子 </p>
<p>Extrapolation 外推法 </p>
<p>Extrinsic 非本征的 </p>
<p>Extrinsic semiconductor 杂质半导体 </p>
<p><strong>F</strong></p>
<p>Face - centered 面心立方 </p>
<p>Fall time 下降时间 </p>
<p>Fan-in 扇入 </p>
<p>Fan-out 扇出 </p>
<p>Fast recovery 快恢复 </p>
<p>Fast surface states 快界面态 </p>
<p>Feedback 反馈 </p>
<p>Fermi level 费米能级 </p>
<p>Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 </p>
<p>Femi potential 费米势 </p>
<p>Fick equation 菲克方程（扩散） </p>
<p>Field effect transistor 场效应晶体管 </p>
<p>Field oxide 场氧化层 </p>
<p>Filled band 满带 </p>
<p>Film 薄膜 </p>
<p>Flash memory 闪烁存储器 </p>
<p>Flat band 平带 </p>
<p>Flat pack 扁平封装 </p>
<p>Flicker noise 闪烁（变）噪声 </p>
<p>Flip-flop toggle 触发器翻转 </p>
<p>Floating gate 浮栅 </p>
<p>Fluoride etch 氟化氢刻蚀 </p>
<p>Forbidden band 禁带 </p>
<p>Forward bias 正向偏置 </p>
<p>Forward blocking /conducting正向阻断/导通 </p>
<p>Frequency deviation noise频率漂移噪声 </p>
<p>Frequency response 频率响应 </p>
<p>Function 函数 </p>
<p><strong>G</strong></p>
<p>Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾 </p>
<p>Gamy ray r 射线 </p>
<p>Gate 门、栅、控制极 </p>
<p>Gate oxide 栅氧化层 </p>
<p>Gauss（ian） 高斯 </p>
<p>Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布</p>
<p>Generation-recombination 产生-复合 </p>
<p>Geometries 几何尺寸 </p>
<p>Germanium(Ge) 锗 </p>
<p>Graded 缓变的 </p>
<p>Graded (gradual) channel 缓变沟道 </p>
<p>Graded junction 缓变结 </p>
<p>Grain 晶粒 </p>
<p>Gradient 梯度 </p>
<p>Grown junction 生长结 </p>
<p>Guard ring 保护环 </p>
<p>Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型 </p>
<p>Gunn - effect 狄氏效应 </p>
<p><strong>H</strong></p>
<p>Hardened device 辐射加固器件 </p>
<p>Heat of formation 形成热 </p>
<p>Heat sink 散热器、热沉 </p>
<p>Heavy/light hole band 重/轻 空穴带 </p>
<p>Heavy saturation 重掺杂 </p>
<p>Hell - effect 霍尔效应 </p>
<p>Heterojunction 异质结 </p>
<p>Heterojunction structure 异质结结构 </p>
<p>Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体 </p>
<p>High field property 高场特性 </p>
<p>High-performance MOS.( H-MOS)高性能</p>
<p>MOS. Hormalized 归一化 </p>
<p>Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 </p>
<p>Hot carrior 热载流子 </p>
<p>Hybrid integration 混合集成 </p>
<p><strong>I</strong></p>
<p>Image - force 镜象力 </p>
<p>Impact ionization 碰撞电离 </p>
<p>Impedance 阻抗 </p>
<p>Imperfect structure 不完整结构 </p>
<p>Implantation dose 注入剂量 </p>
<p>Implanted ion 注入离子 </p>
<p>Impurity 杂质</p>
<p>Impurity scattering 杂志散射 </p>
<p>Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）</p>
<p>In-contact mask 接触式掩模 </p>
<p>Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 </p>
<p>Induced channel 感应沟道 </p>
<p>Infrared 红外的 </p>
<p>Injection 注入 </p>
<p>Input offset voltage 输入失调电压 </p>
<p>Insulator 绝缘体 </p>
<p>Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅</p>
<p>FET Integrated injection logic集成注入逻辑 </p>
<p>Integration 集成、积分 </p>
<p>Interconnection 互连 </p>
<p>Interconnection time delay 互连延时 </p>
<p>Interdigitated structure 交互式结构 </p>
<p>Interface 界面 </p>
<p>Interference 干涉 </p>
<p>International system of unions国际单位制 </p>
<p>Internally scattering 谷间散射 </p>
<p>Interpolation 内插法 </p>
<p>Intrinsic 本征的 </p>
<p>Intrinsic semiconductor 本征半导体 </p>
<p>Inverse operation 反向工作 </p>
<p>Inversion 反型 </p>
<p>Inverter 倒相器 </p>
<p>Ion 离子</p>
<p>Ion beam 离子束 </p>
<p>Ion etching 离子刻蚀 </p>
<p>Ion implantation 离子注入 </p>
<p>Ionization 电离 </p>
<p>Ionization energy 电离能 </p>
<p>Irradiation 辐照 </p>
<p>Isolation land 隔离岛 </p>
<p>Isotropic 各向同性 </p>
<p><strong>J</strong></p>
<p>Junction FET(JFET) 结型场效应管 </p>
<p>Junction isolation 结隔离 </p>
<p>Junction spacing 结间距 </p>
<p>Junction side-wall 结侧壁 </p>
<p><strong>L</strong></p>
<p>Latch up 闭锁 </p>
<p>Lateral 横向的 </p>
<p>Lattice 晶格 </p>
<p>Layout 版图 </p>
<p>Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟 /晶格缺陷/晶格畸变 </p>
<p>Leakage current （泄）漏电流 </p>
<p>Level shifting 电平移动 </p>
<p>Life time 寿命 </p>
<p>linearity 线性度 </p>
<p>Linked bond 共价键 </p>
<p>Liquid Nitrogen 液氮 </p>
<p>Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 </p>
<p>Lithography 光刻 </p>
<p>Light Emitting Diode(LED) 发光二极管 </p>
<p>Load line or Variable 负载线 </p>
<p>Locating and Wiring 布局布线 </p>
<p>Longitudinal 纵向的 </p>
<p>Logic swing 逻辑摆幅 </p>
<p>Lorentz 洛沦兹 </p>
<p>Lumped model 集总模型 </p>
<p><strong>M</strong></p>
<p>Majority carrier 多数载流子 </p>
<p>Mask 掩膜板，光刻板 </p>
<p>Mask level 掩模序号 </p>
<p>Mask set 掩模组 </p>
<p>Mass - action law质量守恒定律</p>
<p>Master-slave D flip-flop主从D触发器 </p>
<p>Matching 匹配 </p>
<p>Maxwell 麦克斯韦 </p>
<p>Mean free path 平均自由程 </p>
<p>Meandered emitter junction梳状发射极结 </p>
<p>Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间 </p>
<p>Megeto - resistance 磁阻 </p>
<p>Mesa 台面 </p>
<p>MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET </p>
<p>Metallization 金属化 </p>
<p>Microelectronic technique 微电子技术 </p>
<p>Microelectronics 微电子学 </p>
<p>Millen indices 密勒指数 </p>
<p>Minority carrier 少数载流子 </p>
<p>Misfit 失配 </p>
<p>Mismatching 失配 </p>
<p>Mobile ions 可动离子 </p>
<p>Mobility 迁移率 </p>
<p>Module 模块 </p>
<p>Modulate 调制 </p>
<p>Molecular crystal分子晶体 </p>
<p>Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管 </p>
<p>Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 </p>
<p>Multiplication 倍增 </p>
<p>Modulator 调制 </p>
<p>Multi-chip IC 多芯片IC </p>
<p>Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 </p>
<p>Multiplication coefficient倍增因子 </p>
<p><strong>N</strong></p>
<p>Naked chip 未封装的芯片（裸片） </p>
<p>Negative feedback 负反馈 </p>
<p>Negative resistance 负阻 </p>
<p>Nesting 套刻 </p>
<p>Negative-temperature-coefficient 负温度系数 </p>
<p>Noise margin 噪声容限 </p>
<p>Nonequilibrium 非平衡 </p>
<p>Nonrolatile 非挥发（易失）性 </p>
<p>Normally off/on 常闭/开 </p>
<p>Numerical analysis 数值分析 </p>
<p><strong>O</strong></p>
<p>Occupied band 满带 </p>
<p>Officienay 功率 </p>
<p>Offset 偏移、失调 </p>
<p>On standby 待命状态 </p>
<p>Ohmic contact 欧姆接触 </p>
<p>Open circuit 开路 </p>
<p>Operating point 工作点 </p>
<p>Operating bias 工作偏置 </p>
<p>Operational amplifier (OPAMP)运算放大器 </p>
<p>Optical photon =photon 光子 </p>
<p>Optical quenching光猝灭 </p>
<p>Optical transition 光跃迁 </p>
<p>Optical-coupled isolator光耦合隔离器 </p>
<p>Organic semiconductor有机半导体 </p>
<p>Orientation 晶向、定向 </p>
<p>Outline 外形 </p>
<p>Out-of-contact mask非接触式掩模 </p>
<p>Output characteristic 输出特性 </p>
<p>Output voltage swing 输出电压摆幅 </p>
<p>Overcompensation 过补偿 </p>
<p>Over-current protection 过流保护 </p>
<p>Over shoot 过冲 </p>
<p>Over-voltage protection 过压保护 </p>
<p>Overlap 交迭 </p>
<p>Overload 过载 </p>
<p>Oscillator 振荡器 </p>
<p>Oxide 氧化物 </p>
<p>Oxidation 氧化 </p>
<p>Oxide passivation 氧化层钝化 </p>
<p><strong>P</strong></p>
<p>Package 封装</p>
<p>Pad 压焊点 </p>
<p>Parameter 参数 </p>
<p>Parasitic effect 寄生效应 </p>
<p>Parasitic oscillation 寄生振荡 </p>
<p>Passination 钝化 </p>
<p>Passive component 无源元件 </p>
<p>Passive device 无源器件 </p>
<p>Passive surface 钝化界面 </p>
<p>Parasitic transistor 寄生晶体管 </p>
<p>Peak-point voltage 峰点电压 </p>
<p>Peak voltage 峰值电压 </p>
<p>Permanent-storage circuit 永久存储电路 </p>
<p>Period 周期 </p>
<p>Periodic table 周期表 </p>
<p>Permeable - base 可渗透基区 </p>
<p>Phase-lock loop 锁相环</p>
<p>Phase drift 相移 </p>
<p>Phonon spectra 声子谱 </p>
<p>Photo conduction 光电导</p>
<p> Photo diode 光电二极管 </p>
<p>Photoelectric cell 光电池 </p>
<p>Photoelectric effect 光电效应 </p>
<p>Photoenic devices 光子器件 </p>
<p>Photolithographic process 光刻工艺 </p>
<p>(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 </p>
<p>Pin 管脚 </p>
<p>Pinch off 夹断 </p>
<p>Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应） </p>
<p>Planar process 平面工艺 </p>
<p>Planar transistor 平面晶体管 </p>
<p>Plasma 等离子体 </p>
<p>Plezoelectric effect 压电效应 </p>
<p>Poisson equation 泊松方程 </p>
<p>Point contact 点接触 </p>
<p>Polarity 极性 </p>
<p>Polycrystal 多晶 </p>
<p>Polymer semiconductor聚合物半导体 </p>
<p>Poly-silicon 多晶硅 </p>
<p>Potential (电)势 </p>
<p>Potential barrier 势垒 </p>
<p>Potential well 势阱 </p>
<p>Power dissipation 功耗 </p>
<p>Power transistor 功率晶体管 </p>
<p>Preamplifier 前置放大器 </p>
<p>Primary flat 主平面 </p>
<p>Principal axes 主轴 </p>
<p>Print-circuit board(PCB) 印制电路板 </p>
<p>Probability 几率 </p>
<p>Probe 探针 </p>
<p>Process 工艺 </p>
<p>Propagation delay 传输延时 </p>
<p>Pseudopotential method 膺势发 </p>
<p>Punch through 穿通 </p>
<p>Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse </p>
<p>Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制 </p>
<p>Punchthrough 穿通 </p>
<p>Push-pull stage 推挽级 </p>
<p><strong>Q</strong></p>
<p>Quality factor 品质因子 </p>
<p>Quantization 量子化 </p>
<p>Quantum 量子 </p>
<p>Quantum efficiency量子效应 </p>
<p>Quantum mechanics 量子力学 </p>
<p>Quasi – Fermi－level准费米能级 </p>
<p>Quartz 石英 </p>
<p><strong>R</strong></p>
<p>Radiation conductivity 辐射电导率 </p>
<p>Radiation damage 辐射损伤 </p>
<p>Radiation flux density 辐射通量密度 </p>
<p>Radiation hardening 辐射加固 </p>
<p>Radiation protection 辐射保护 </p>
<p>Radiative - recombination辐照复合 </p>
<p>Radioactive 放射性 </p>
<p>Reach through 穿通 </p>
<p>Reactive sputtering source 反应溅射源 </p>
<p>Read diode 里德二极管 </p>
<p>Recombination 复合 </p>
<p>Recovery diode 恢复二极管 </p>
<p>Reciprocal lattice 倒核子 </p>
<p>Recovery time 恢复时间 </p>
<p>Rectifier 整流器（管） </p>
<p>Rectifying contact 整流接触 </p>
<p>Reference 基准点 基准 参考点 </p>
<p>Refractive index 折射率 </p>
<p>Register 寄存器 </p>
<p>Registration 对准 </p>
<p>Regulate 控制 调整 </p>
<p>Relaxation lifetime 驰豫时间 </p>
<p>Reliability 可靠性 </p>
<p>Resonance 谐振 </p>
<p>Resistance 电阻 </p>
<p>Resistor 电阻器 </p>
<p>Resistivity 电阻率 </p>
<p>Regulator 稳压管（器） </p>
<p>Relaxation 驰豫 </p>
<p>Resonant frequency共射频率 </p>
<p>Response time 响应时间 </p>
<p>Reverse 反向的 </p>
<p>Reverse bias 反向偏置 </p>
<p><strong>S</strong></p>
<p>Sampling circuit 取样电路 </p>
<p>Sapphire 蓝宝石（Al2O3） </p>
<p>Satellite valley 卫星谷 </p>
<p>Saturated current range电流饱和区 </p>
<p>Saturation region 饱和区</p>
<p>Saturation 饱和的 </p>
<p>Scaled down 按比例缩小 </p>
<p>Scattering 散射 </p>
<p>Schockley diode 肖克莱二极管 </p>
<p>Schottky 肖特基 </p>
<p>Schottky barrier 肖特基势垒 </p>
<p>Schottky contact 肖特基接触 </p>
<p>Schrodingen 薛定厄 </p>
<p>Scribing grid 划片格 </p>
<p>Secondary flat 次平面 </p>
<p>Seed crystal 籽晶 </p>
<p>Segregation 分凝 </p>
<p>Selectivity 选择性 </p>
<p>Self aligned 自对准的 </p>
<p>Self diffusion 自扩散 </p>
<p>Semiconductor 半导体 </p>
<p>Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 </p>
<p>Sendsitivity 灵敏度 </p>
<p>Serial 串行/串联 </p>
<p>Series inductance 串联电感 </p>
<p>Settle time 建立时间 </p>
<p>Sheet resistance 薄层电阻 </p>
<p>Shield 屏蔽</p>
<p>Short circuit 短路 </p>
<p>Shot noise 散粒噪声</p>
<p>Shunt 分流 </p>
<p>Sidewall capacitance </p>
<p>边墙电容 Signal 信号 </p>
<p>Silica glass 石英玻璃 </p>
<p>Silicon 硅 </p>
<p>Silicon carbide 碳化硅 </p>
<p>Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅 </p>
<p>Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 </p>
<p>Silicon On Insulator 绝缘硅 </p>
<p>Siliver whiskers 银须 </p>
<p>Simple cubic 简立方 </p>
<p>Single crystal 单晶 </p>
<p>Sink 沉 </p>
<p>Skin effect 趋肤效应 </p>
<p>Snap time 急变时间 </p>
<p>Sneak path 潜行通路 </p>
<p>Sulethreshold 亚阈的 </p>
<p>Solar battery/cell 太阳能电池 </p>
<p>Solid circuit 固体电路 </p>
<p>Solid Solubility 固溶度 </p>
<p>Sonband 子带 </p>
<p>Source 源极 </p>
<p>Source follower 源随器 </p>
<p>Space charge 空间电荷 </p>
<p>Specific heat(PT) 热 </p>
<p>Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的 </p>
<p>Spin 自旋 Split 分裂 </p>
<p>Spontaneous emission 自发发射 </p>
<p>Spreading resistance扩展电阻 </p>
<p>Sputter 溅射 Stacking fault 层错 </p>
<p>Static characteristic 静态特性 </p>
<p>Stimulated emission 受激发射 </p>
<p>Stimulated recombination 受激复合 </p>
<p>Storage time 存储时间 </p>
<p>Stress 应力 </p>
<p>Straggle 偏差 </p>
<p>Sublimation 升华 </p>
<p>Substrate 衬底 </p>
<p>Substitutional 替位式的 </p>
<p>Superlattice 超晶格 </p>
<p>Supply 电源 Surface 表面 </p>
<p>Surge capacity 浪涌能力 </p>
<p>Subscript 下标 </p>
<p>Switching time 开关时间 </p>
<p>Switch 开关 </p>
<p><strong>T</strong></p>
<p>Tailing 扩展 </p>
<p>Terminal 终端 </p>
<p>Tensor 张量 Tensorial 张量的 </p>
<p>Thermal activation 热激发 </p>
<p>Thermal conductivity 热导率 </p>
<p>Thermal equilibrium 热平衡 </p>
<p>Thermal Oxidation 热氧化 </p>
<p>Thermal resistance 热阻 </p>
<p>Thermal sink 热沉 </p>
<p>Thermal velocity 热运动 </p>
<p>Thermoelectricpovoer 温差电动势率 </p>
<p>Thick-film technique 厚膜技术 </p>
<p>Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路 </p>
<p>Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 </p>
<p>Threshlod 阈值 </p>
<p>Thyistor 晶闸管 </p>
<p>Transconductance 跨导 </p>
<p>Transfer characteristic 转移特性 </p>
<p>Transfer electron 转移电子 </p>
<p>Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的 </p>
<p>Transistor aging(stress) 晶体管老化 </p>
<p>Transit time 渡越时间 </p>
<p>Transition 跃迁 </p>
<p>Transition-metal silica 过度金属硅化物 </p>
<p>Transition probability 跃迁几率 </p>
<p>Transition region 过渡区 </p>
<p>Transport 输运 Transverse 横向的 </p>
<p>Trap 陷阱 Trapping 俘获 </p>
<p>Trapped charge 陷阱电荷 </p>
<p>Triangle generator 三角波发生器 </p>
<p>Triboelectricity 摩擦电</p>
<p>Trigger 触发 </p>
<p>Trim 调配 调整 </p>
<p>Triple diffusion 三重扩散 </p>
<p>Truth table 真值表 </p>
<p>Tolerahce 容差 </p>
<p>Tunnel(ing) 隧道（穿） </p>
<p>Tunnel current 隧道电流 </p>
<p>Turn over 转折 </p>
<p>Turn - off time 关断时间 </p>
<p><strong>U</strong></p>
<p>Ultraviolet 紫外的 </p>
<p>Unijunction 单结的 </p>
<p>Unipolar 单极的 </p>
<p>Unit cell 原（元）胞 </p>
<p>Unity-gain frequency 单位增益频率 </p>
<p>Unilateral-switch单向开关 </p>
<p><strong>V</strong></p>
<p>Vacancy 空位 Vacuum 真空 </p>
<p>Valence(value) band 价带 Value band edge 价带顶 </p>
<p>Valence bond 价键 Vapour phase 汽相 </p>
<p>Varactor 变容管 Varistor 变阻器 </p>
<p>Vibration 振动 Voltage 电压 </p>
<p>W</p>
<p>Wafer 晶片 </p>
<p>Wave equation 波动方程 </p>
<p>Wave guide 波导 </p>
<p>Wave number 波数 </p>
<p>Wave-particle duality 波粒二相性 </p>
<p>Wear-out 烧毁 </p>
<p>Wire routing 布线 </p>
<p>Work function 功函数 </p>
<p>Worst-case device 最坏情况器件 </p>
<p><strong>Y</strong></p>
<p>Yield 成品率 </p>
<p><strong>Z</strong></p>
<p>Zener breakdown 齐纳击穿 </p>
<p>Zone melting 区熔法 </p>