多方联合揭示硅中氢致自由电子生成机制 judy -- 周三, 01/21/2026 - 15:03 此项突破性成果有望优化绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的设计与制造工艺,从而提升其能效表现并降低功率损耗 登录 或 注册 后发表评论