从欠阻尼到过阻尼：一文看懂GaN栅极波形如何“翻身”
judy -- 周四, 07/24/2025 - 11:33
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点，正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。
NSD2622N
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
judy -- 周五, 05/30/2025 - 10:53
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力