积塔半导体率先推出110nm新型铁电存储器工艺技术
judy -- 周三, 01/31/2024 - 10:01
与现有技术相比，新产品面积缩小约40%~60%，性能大幅度提升，将于2024年一季度正式量产。
FeRAM（Ferroelectric Random-Access Memory）是一种非易失性存储器技术，它使用铁电材料作为存储单元，具有快速的读写速度、低功耗和长寿命等特点。与传统的存储器技术（如DRAM和闪存）相比，FeRAM在某些应用中具有独特的优势。
与现有技术相比，新产品面积缩小约40%~60%，性能大幅度提升，将于2024年一季度正式量产。