瞬态电压抑制器

这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计，并具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，不仅节省空间，而且能够提供高达137 V的卓越钳位能力

据TechInsights数据显示，继2021 年半导体资本支出增长35%，2022年增长15%以后，预测2023年半导体资本支出将下降14%

这种双向器件工作温度-55 ℃ 至+175 ℃，功率密度高，可用于汽车、通信和工业应用。

SMC3KxxxCAHM3_A系列器件 10/1000 μs 条件下浪涌性能高达3 kW，符合ISO 16750-2 Pulse b规范，22 V至120 V漏电流低至1 μA，工作温度达+175 ℃。