圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430
judy -- 周四, 05/08/2025 - 10:13
SGMNQ36430 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时,其导通电阻典型值为 2.9mΩ,最大值为 3.6mΩ,能够有效减少功率损耗
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