纳微GaNSafe™正式通过车规认证
judy -- 周四, 04/17/2025 - 16:18
GaNSafe具有短路保护(最大延迟350ns)、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制
GaNSafe具有短路保护(最大延迟350ns)、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制
效率超97.5%!由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案,完美适配AI和超大规模数据中心
第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度
纳微经验丰富的专家们,将用仿真模拟和快插板验证的方式,为大家深入浅出地剖析不同封装下的热表现
专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果,第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能
先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展,包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域,加速实现“Electrify Our World™”使命