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一颗更比四颗强！纳微双向氮化镓开关为什么这么牛？

judy -- 周四, 05/29/2025 - 16:56

纳微的双向氮化镓开关，能够轻松实现双向的电压阻断和双向的电流导通，搭配独家的IsoFast™高速隔离驱动器

judy -- 周五, 05/09/2025 - 16:53

纳微最新一代650V与1200V“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET，搭配优化的HV-T2Pak顶部散热封装，实现行业最高6.45mm爬电距离，可满足1200V以下应用的IEC合规性。

judy -- 周四, 04/17/2025 - 16:18

GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制

judy -- 周五, 11/08/2024 - 16:40

效率超97.5%！由高功率 GaNSafe™ 和第三代快速碳化硅MOSFETs 打造的下一代电源方案，完美适配AI和超大规模数据中心

judy -- 周二, 08/13/2024 - 11:52

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度

judy -- 周二, 12/12/2023 - 10:27

纳微经验丰富的专家们，将用仿真模拟和快插板验证的方式，为大家深入浅出地剖析不同封装下的热表现

judy -- 周五, 05/12/2023 - 07:47

专有的“低门槛电压”技术带来更好的温控效果，第五代GeneSiC™碳化硅(SiC)二极管实现更高速、更高效的性能

judy -- 周四, 05/11/2023 - 09:13

先进的GeneSiC碳化硅技术将实现从10千瓦到兆瓦级别的应用扩展，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和储能等领域，加速实现“Electrify Our World™”使命