兆易创新 GD25NE 系列震撼登场!1.2V SoC 专属 NOR Flash,读功耗直降 50%,性能再破界
judy -- 周三, 03/12/2025 - 09:59
GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms,扇区擦除时间为30ms,其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比,数据读取性能提升了20%
GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms,扇区擦除时间为30ms,其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比,数据读取性能提升了20%
GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装,相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品,缩小了高达36%的占板面积
华邦新型 1.2V SpiFlash 产品W25Q64NE提供高存储容量,可满足TWS耳机和健身手环等新一代无线消费类电子设备的内存需求