技术

为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍

哪些原因会导致 BGA 串扰?

本文探讨一下 BGA 封装和 BGA 串扰的问题。

半导体前端工艺:第六篇(完结篇):金属布线 —— 为半导体注入生命的连接

在前几篇文章中,我们详细讲解了氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺。经过上述工艺,晶圆表面会形成各种半导体元件

用于集成太阳能和储能系统的 5 种转换器拓扑

储能系统价格变得越来越实惠,电价也在上涨,因此对可再生能源的需求不断增加。许多住宅现在使用太阳能发电和电池储能相结合的系统

SiC MOSFET的短沟道效应

本文主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性

关于实现增强式 eCall 汽车设计,工程师需要了解什么

在本文中,我们将回顾系统设计人员如何进行汽车应用设计,以及新型 eCall 解决方案如何优化整个平台

还在为用氮化镓设计高压电源犯难?试试这两个器件

本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理,展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势

引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容

本文中,我们将专注于前道工序 (FEOL),并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

USB连接器和电缆的广泛概述

本文将为您简介USB接口、USB整体的发展历程,并介绍由CUI Devices推出的USB Type C连接器产品线。

基于碳化硅 (SiC)的25 kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格

随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强,直流快速充电市场在蓬勃发展,市场对快速充电基础设施的需求也在增加

HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流