技术

为智能硬件开发者、创客提供有关基于英特尔嵌入式处理器的应用技术介绍和合作伙伴方案介绍

漏极和源极之间产生的浪涌

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)简史

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中,我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

5G网络的时序设计和管理同步方式

如要在整个蜂窝移动网络中实现具有成本效益、可靠性和安全性的授时,所需的基础设施需要适当的架构、设计和管理

深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点,并且有三个端子

先进封装基本术语

本文将对先进封装技术中最常见的10个术语进行简单介绍

如何为 ADAS 处理器提供超过 100A 的电流

高级驾驶辅助系统 (ADAS),包括自动驾驶视觉分析、泊车辅助和自适应控制功能中的汽车系统电气化日益普及

有效降低传导辐射干扰的小技巧

本文主要讨论的是引入输入滤波器来滤除噪声,或增加屏蔽罩来锁住噪声

车规芯片为什么要满足功能安全

本文探讨了车规芯片为什么满足了AEC-Q100这么严苛的标准,同时还需要满足功能安全

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用

本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。

数字电源设计方案难选?相信我,看了本文就不难了~

作为一名当代的电源设计工程师,如果正打算为终端系统选择一款合适的电源解决方案,很可能会感到非常的纠结