Wolfspeed推出新型顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
judy -- 周一, 07/07/2025 - 09:48
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项,能显著提升系统功率密度和效率,同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。
在保持小尺寸的同时,提供出色的散热性能
DSCxxA065LP 系列的反向漏电流 (IR) 也低于业界其他产品,最大仅为 20µA。这能大幅降低热耗散和传导损耗,提高系统稳定性以及可靠度
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
Nexperia提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件,以提高设计灵活性
Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合
肖特基二极管与普通二极管有什么区别,有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。
本文介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低
如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。