瞬态电压抑制器

穿越周期,保护器件市场韧性最强

据TechInsights数据显示,继2021 年半导体资本支出增长35%,2022年增长15%以后,预测2023年半导体资本支出将下降14%

Vishay推出24 V XClampR瞬态电压抑制器

这种双向器件工作温度-55 ℃ 至+175 ℃,功率密度高,可用于汽车、通信和工业应用。

Vishay推出SMC封装TRANSZORB® TVS,高浪涌能力达3 kW,漏电流低至1 μA

SMC3KxxxCAHM3_A系列器件 10/1000 μs 条件下浪涌性能高达3 kW,符合ISO 16750-2 Pulse b规范,22 V至120 V漏电流低至1 μA,工作温度达+175 ℃。