中科半导体发布氮化镓机器人智能快充芯片
judy -- 周一, 07/21/2025 - 14:56
ASIC芯片+GaN HEMT键合，高频高效，模块体积缩小30%，低内阻特性降低导通损耗，采用LLC设计结构系统效率达98%以上，充电发热减少25%
ASIC芯片+GaN HEMT键合，高频高效，模块体积缩小30%，低内阻特性降低导通损耗，采用LLC设计结构系统效率达98%以上，充电发热减少25%