TW007D120E

东芝 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 试样出货

TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构,实现了业界领先的单位面积低导通电阻(RDS(on)A);其通过更低的导通电阻降低导通损耗,同时实现更低的开关损耗。