金属栅极凹槽轮廓对晶体管电阻和电容的影响
judy -- 周四, 04/24/2025 - 17:33
本文中，我们来看一下使用 SEMulator3D®虚拟实验设计来预测不同栅极关键尺寸、金属栅极凹槽深度和金属栅极凹槽轮廓下的电阻和电容的结果。
SEMulator3D
为刻蚀终点探测进行原位测量
judy -- 周五, 01/12/2024 - 11:09
随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战
judy -- 周一, 12/18/2023 - 15:06
随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
judy -- 周四, 10/19/2023 - 15:01
随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程