金属栅极凹槽轮廓对晶体管电阻和电容的影响 judy / 周四, 24 四月 2025 - 17:33 本文中，我们来看一下使用 SEMulator3D®虚拟实验设计来预测不同栅极关键尺寸、金属栅极凹槽深度和金属栅极凹槽轮廓下的电阻和电容的结果。 阅读更多 关于 金属栅极凹槽轮廓对晶体管电阻和电容的影响登录 发表评论
为刻蚀终点探测进行原位测量 judy / 周五, 12 一月 2024 - 11:09 随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成、且没有剩余材料可供刻蚀 阅读更多 关于 为刻蚀终点探测进行原位测量登录 发表评论
半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战 judy / 周一, 18 十二月 2023 - 15:06 随着器件微缩至3nm及以下节点，后段模块处理迎来许多新的挑战，这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案 阅读更多 关于 半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战登录 发表评论
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺 judy / 周四, 19 十月 2023 - 15:01 随着技术推进到1.5nm及更先进节点，后段器件集成将会遇到新的难题，比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程 阅读更多 关于 使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺登录 发表评论
