eGaN

革新AI算力基建:1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限

英诺赛科此次推出的多相降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构,实现高功率密度紧凑设计

借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此,设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。