eGaN

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力

隔离型栅极驱动器IC的抗扰度指标——共模瞬态抗扰度（CMTI）达到150V/ns（纳秒），是以往产品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT开关时令人困扰的高转换速率引发的误动作

英诺赛科此次推出的多相降压电源方案利用氮化镓高频高效的优势和四相交错Buck拓扑结构，实现高功率密度紧凑设计

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。