沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解 judy -- 周四, 04/09/2026 - 11:58 英飞凌在 SiC 器件设计中,是如何在开关性能、耐压冗余与长期可靠性三者之间做权衡与优化? 登录 或 注册 后发表评论
英飞凌推出全新车规级高压IGBT EDT2, 大幅提升电动汽车分立器件逆变器性能 judy -- 周二, 04/26/2022 - 15:39 英飞凌推出了采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT,该器件符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,能大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。