晶体管

每天陪伴人们工作和生活的各种电子产品，从智能手机、到笔记本电脑，再到智能机器人，各种电子产品都离不开晶体管这一核心技术。

英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计，为现有平台提供了无缝升级路径，帮助设计人员快速实现重新设计

今天，我们将介绍英特尔的两项突破性技术：RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术

CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目，旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后

本文将回顾晶体管的历史，探讨其未来的发展方向，并分析晶体管基本结构的更新换代，以及最新的Multi-Die系统的应用前景。

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同

晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快

任何芯片的基本组成部分都是晶体管，最近晶体管迎来了 75 岁生日。今天我们将讨论它的下一个 25 年

在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。