晶体管

英飞凌新一代CoolGaN™晶体管技术,可实现优异的效率和功率密度,满足消费类和工业应用的需求

英飞凌最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管系列专为直接替代现有产品而设计,为现有平台提供了无缝升级路径,帮助设计人员快速实现重新设计

“环抱”晶体管与“三明治”布线

今天,我们将介绍英特尔的两项突破性技术:RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术

未来的晶体管,新进展

CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目,旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术,目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后

晶体管的第一个76年:变小了,却变大了?

本文将回顾晶体管的历史,探讨其未来的发展方向,并分析晶体管基本结构的更新换代,以及最新的Multi-Die系统的应用前景。

了解这些就可以搞懂 IGBT

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同,集电极和发射极与双极晶体管相同

如何提高晶体管的开关速度?

晶体管的开关速度即由其开关时间来表征,开关时间越短,开关速度就越快

晶体管的下一个25年

任何芯片的基本组成部分都是晶体管,最近晶体管迎来了 75 岁生日。今天我们将讨论它的下一个 25 年

四张图看懂晶体管现状

在过去的 75 年里,晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。

IMEC:2022年晶体管规模已经达到1000亿个

比利时微电子中心IMEC公布了一张很有趣的路线图,对比了1970年到现在2022年的52年间中,处理器芯片的晶体管密度变化

科学家在工程晶体中获重大突破:可让计算机以更低功率运行

加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管--构成计算机构件的微小电子开关--的设计中的一项重大突破,它可以在不牺牲速度、尺寸或性能的情况下大大降低其能源消耗。该元件被称为闸极氧化层,其在晶体管的开关中起着关键作用。