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三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产

三星电子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式开始量产。

三星开始量产其最薄LPDDR5X内存产品,助力端侧AI应用

三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm,散热控制能力更强,适合端侧AI在移动端的应用。


三星为智能手机摄像头推出三款多功能图像传感器,带来卓越的摄影体验

新产品系列配备2亿像素和5000万像素传感器,缩小了主摄像头和副摄像头之间的差距,全方位增强了智能手机成像效果

三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,满足人工智能时代的更高要求

三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB

三星发布具有更佳动态范围和视频功能的5000万像素ISOCELL GNK传感器

三星公司发布了新款 5000 万像素 ISOCELL GNK 传感器,该传感器具有更强的视频拍摄能力和更宽的静态动态范围

三星推出其首个LPCAMM内存解决方案,开启内存模组新未来

与 So-DIMM 相比,LPCAMM性能提高 50%,能效提高 70%,面积缩小 60%,预计将于 2024 年实现商业化

三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组

三星推出其首款GDDR7,释放下一代显存性能潜力

三星最新32Gbps GDDR7将进一步强化人工智能、高性能计算和汽车等的应用能力,与上一代24Gbps GDDR6 相比,GDDR7性能提升1.4倍,能效提高20%

三星宣布开始量产其功耗最低的车载UFS 3.1存储器解决方案

全新UFS 3.1解决方案为IVI系统进行了优化,功耗降低33%,进一步为未来车载应用赋能