在MOSFET开关中，栅极驱动器（Gate Driver）承担着为其充电与放电的关键任务，而这背后的能量转换过程，直接影响驱动系统的效率与热设计。传统功率损耗公式虽广泛使用，但在某些应用场景中存在物理理解上的偏差。本文将以多个典型充放电模型为切入点，重新剖析驱动电路中能量的真实流向，并进一步探讨寄生电感对系统能量守恒的影响，为工程师提供更精确的能量估算依据与器件选型参考。
1. 常用的驱动电路功率损耗计算公式
对于功率损耗的计算，计算公式如下：
PON和POFF的公式把这部分功率一分为二，一半消耗在电阻上，一半存储在电容中，放电时电容中的能量再通过电阻消耗掉。
显然(1)和(2)成立的条件是——充电过程中，电阻上消耗的能量等于电容上存储的能量。但此假设一定成立吗？很明显电阻等于0的时候不成立。那么电阻不等于0的时候呢？
2. 恒压源对MOS的充电
MOS充电波形示意如图3，I-V曲线如图4：
图3
图4
CGS和CGD可以在纳芯微MOS datasheet中查到，CISS= CGS+CGD，CRSS= CGD
MOS在饱和区由于米勒效应，CGD会被放大(1+AV/V)倍，其中AV/V代表MOS饱和区的放大倍数。
CGD随着电压的变化而变化，对于大多数MOS，有如下近似公式：
阶段(1)(2)(4) CISS=近似为CGS和CGD_AVG并联。阶段(3)，VGS基本保持不变，CGS不起作用，驱动对CGD恒流充电。
电容储能总小于电阻功耗，电容越接近充满，两者越接近相等。
3. 电容对MOS的充电
实际电路中，驱动芯片给MOS充电时，充电电流大部分都是由电容提供，因此可以近似认为驱动电路是电容给电容充电的模型。
对比恒压源对电容充电公式，VDRV变为VDRV_AVC，因为电源电容电压在下跌，因此取充电过程的平均值。
由式(15)可知，电源电容输出的能量大于电阻耗能+电容储能。
4. MOS的放电
设电容初始电压UG，终止电压Uo=kUG，放电持续时间为T
寄生电感的作用
充电回路相当于一匝的线圈，形成寄生电感，图6的模型更接近实际电路。
在如图3区域(3)，近似恒流充电，电感的作用忽略，因此不作分析。
设电源电容CIN初始电压为UDRV，时刻电压为UIN；门极电容：CG=CGS+CGD_AVG；充电终止CG电压Uo=k*UDRV；充电持续时间为T；充电电流为IG；计生电感L。
由于IG和Uo的时域公式非常复杂，T的表达式无法求出，也无法通过公式计算电阻的耗能。因为电阻的影响只是消耗一部分能量，把这部分能量降为0，也就是令电阻等于0，电路中只有L和C，以简化分析。
由式 (19)可知电能守恒，没有额外的能量损失。当然，交变的电磁场，还是会辐射能量，但因为电感的存在，抑制了电流的变化率。
结论与建议
通过对不同充电模型下电阻损耗、电容储能、电源能量输出之间关系的定量分析，本文指出传统“电源能量一分为二”的假设并非总是成立。特别是在驱动电压高于2倍米勒电平时，栅极电阻的能量损耗常常大于电容储能；而在电容对电容充电的模型中，能量分布又呈现出不同特性。此外，MOS关断时所有储能都通过电阻耗散，而寄生电感则在一定程度上抑制了能量损失。理解这些能量路径对精确设计高效Gate Driver系统至关重要，尤其在追求高频、高密度、高可靠性的电源应用中更显价值。
文章来源：纳芯微电子