英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展

judy -- 周六, 10/12/2024 - 15:08

英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。

INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。

产品特性

  • 双向导通能力
  • 先进的超低导通电阻低压技术
  • 超小封装体积
  • 零反向恢复充电电量

    • 产品优势
    INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势：

  • FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%；
  • Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%；
  • 具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。

    • 同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。

    应用领域

  • 高边负载开关
  • 过压保护
  • 电池保护

    • INV030FQ012A 规格书首页

    截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。

    VGaN 产品汇总表

    新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品，欢迎通过以下邮件与我们联系。

    jiaxinhuang@innoscience.com

    英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
    英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！

    文章来源：英诺赛科

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