<p>基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。</p>
<ul>
<li>耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。</li>
<li>低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。</li>
<li>高电流：与低导通电阻的趋势相同。</li>
<li>高速：U-MOS由于栅极容量（Ciss）大，不利于高速开关。</li>
</ul>
<p>根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。</p>
<img alt="表3-2基于结构的MOSFET的优点和应用" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="51cf8558-facd-4c3d-bc1a-61a7c19d6328" src="/sites/default/files/inline-images/%E8%A1%A83-2%E5%9F%BA%E4%BA%8E%E7%BB%93%E6%9E%84%E7%9A%84MOSFET%E7%9A%84%E4%BC%98%E7%82%B9%E5%92%8C%E5%BA%94%E7%94%A8.png" />
<p>文章来源：<a href="https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/e-learni…;