基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。
- 耐受电压:选择目标耐受电压的最佳结构。
- 低导通电阻:U-MOS适用于250V及以下产品,SJ-MOS(或DTMOS)适用于大于250V的产品。
- 高电流:与低导通电阻的趋势相同。
- 高速:U-MOS由于栅极容量(Ciss)大,不利于高速开关。
根据产品的不同,利用低导通电阻特性,具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。
文章来源:东芝半导体
基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。
根据产品的不同,利用低导通电阻特性,具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。
文章来源:东芝半导体