充电慢、续航焦虑、充电时车辆发热、高压场景下安全隐患……这些困扰新能源车主已久的老问题，如今都有了彻底破解的方案！随着1000V高压平台成为新能源汽车行业主流趋势，兆瓦闪充2.0技术更是将充电效率推向新高度，功率器件的耐压、损耗、可靠性已成为决定充电速度与整车安全的核心壁垒。
针对行业痛点，比亚迪半导体深耕碳化硅技术研发，自主研发TO-247-4 1500V SiC单管。这款产品搭载自研高性能SiC芯片，从根源上攻克传统器件短板，实现多项技术指标行业领先，成为兆瓦闪充2.0的核心动力引擎，彻底告别新能源汽车充电顽疾，开启高压闪充全新篇章。
得益于比亚迪自研的SiC芯片，此单管具备20mΩ极低单位面积导通电阻，能大幅降低充电过程中的能量损耗，减少器件发热，让充电过程更高效、更稳定；同时拥有更高的开关频率，可适配兆瓦闪充2.0的高速充电需求，显著缩短充电时长，让车主告别漫长等待。
在兆瓦闪充充系统中，1500V SiC单管承担着核心功率变换：
- 交流380V输入
- 前端逆变至直流电压
- 再高效升压至1000V高压直充动力电池
更值得一提的是，该款碳化硅单管的击穿电压（BV）相比市面同类产品高出10%，超强耐压性能为高压充电场景筑牢安全防线，即便在极端大功率工作环境下，也能保持稳定运行，杜绝因器件故障引发的安全风险，全方位保障整车充电安全与电路可靠性。在兆瓦闪充2.0的核心电路中，凭借自研SiC芯片以及TO-247-4优化封装，此单管在高频、高压、大电流工况下依旧保持低损耗、低发热、高稳定性，让每一度电都以最高效率从电网输送到电池，为高压闪充场景提供了效率与可靠性兼具的完美解决方案。
从技术突破到产业落地，这款碳化硅单管的问世，不仅是我司自研实力的有力彰显，更推动新能源汽车高压闪充技术迈上新台阶。除了专为兆瓦级闪充设计的高耐压产品外，比亚迪半导体还提供一系列适用于新能源汽车、风储充、工业和家电等领域的系列单管产品，这些单管涵盖多种类型，如IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、FRD和TVS等，以满足不同应用场景的需求。同时也提供了多样化的封装形式，如：SOP-9半桥模块、QDPAK、TO-263-7L、TO-247Plus-4L、TO-247Plus-3L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3L和TO-220F-3L等，以适应各种设计和制造要求。
行业迭代，技术先行。未来，比亚迪半导体将持续深耕功率器件领域，不断突破技术边界，为兆瓦闪充2.0的全面普及、为新能源汽车行业的高质量发展，注入源源不断的核心动力，助力全民畅享高效、安全、便捷的绿色出行新生活！
文章来源：比亚迪半导体