第八代 BiCS FLASH™ 技术带来性能与能效双重提升
铠侠宣布采用四级单元（QLC）技术的通用闪存（1）（UFS）4.1 版嵌入式闪存设备已开始送样。新设备采用铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术，专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计。
与传统的 TLC UFS 相比，QLC UFS 具有更高位密度，使其适用于需要更高存储容量的移动应用。此外，控制技术和纠错技术的进步还使 QLC 技术保持了有竞争力的性能。
基于这些技术进步，新设备实现了显著的性能提升（2）。与上一代产品（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）（3）相比，铠侠 QLC UFS 的顺序写入速度提升了 25%，随机读取速度提升了 90%，随机写入速度提升了 95%。此外，写入放大系数（WAF）也得到显著改善，最高可达 3.5 倍（在禁用 WriteBooster 的情况下）。
铠侠 QLC UFS 不仅非常适合智能手机和平板电脑，还支持对容量和性能有更高要求的新兴产品类别，包括 PC、网络设备、AR/VR、IoT 以及支持 AI 的设备。
新的 UFS 4.1 设备提供 512GB 和 1TB 两种容量，在符合 JEDEC 标准的封装中结合了铠侠先进的 BiCS FLASH™ 3D 闪存和集成控制器。铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存搭载了突破性的 CBA（外围电路直接键合到存储阵列）架构。
主要特性包括：
· 符合 UFS 4.1 规范，UFS 4.1 还向下兼容 UFS 4.0 和 UFS 3.1。
· 采用铠侠第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存。
· 支持 WriteBooster，可显著提升写入速度。
· 封装尺寸较上一代 QLC UFS 缩小：由 11×13 mm 减至 9×13 mm。
备注：
1.UFS（通用闪存存储）是根据 JEDEC UFS 标准规范研发的一种嵌入式存储产品的产品种类。由于其采用串行接口，UFS 可支持全双工模式，这使得主机处理器和 UFS 器件之间可同时进行读写。
2.基于铠侠内部测试
3.512GB 产品（启用 WriteBooster 的情况下）
·在每次提及铠侠产品：产品密度是根据产品内存储芯片的密度来确定的，而不是最终用户可用于存储数据的存储器容量。消费者可使用的容量会因开销数据区域（overhead data areas）、格式化、坏块和其他限制而变少，而且也可能因主机设备和应用程序而变化。如需了解详情，请参考适用的产品规格。根据定义，1KB = 2^10字节 = 1,024字节；1Gb=2^30位=1,073,741,824位。1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节；1Tb=2^40位=1,099,511,627,776位。
·1Gbps按1,000,000,000 bits/s计算。这些数值是在铠侠株式会社的特定测试环境中获得的最佳值，铠侠株式会社不保证在个别设备中的读写速度。读写速度可能取决于所使用的设备和所读取或写入的文件大小。
·所有公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。