在许多应用中，需要进行升压和降压转换。例如，有时输入电压范围为6 V至24 V，而需要输出的电压为12 V。传统的宽范围电源必须能够进行此类电压转换。
利用基于变压器的不同拓扑结构，可以实现升压和降压转换，例如反激式稳压器、单端初级电感转换器(SEPIC)拓扑和四开关降压-升压拓扑。
四开关降压-升压是一种非常精巧的架构。它需要四个开关，但只需要一个电感。图1为该电路的拓扑结构。线圈始终由四个开关控制，从而实现向下转换的降压开关稳压器或向上转换的升压开关稳压器。转换效率非常高，而且此类电路的应用相当简单。
图1. 四开关降压-升压电压转换架构
开关模式降压-升压转换器以一定的开关频率工作，会在电压转换器的内部走线中产生脉冲电流。在输入电压高于所需输出电压的降压模式下，脉冲电流位于输入侧；而在输入电压低于所需输出电压的升压模式下，脉冲电流位于输出侧。这些脉冲电流会引起脉冲磁场，从而造成电磁干扰(EMI)。
Silent Switcher技术已可用于设计具有出色电磁兼容性(EMC)行为的开关模式电源转换器。该技术将脉冲电流的传导路径分成两条，每条路径都具有高度的对称性。这使得脉冲电流的幅度减半，并且对称性在很大程度上抵消了所产生的磁场。图2为该技术在降压-升压控制器中的应用。红色部分为脉冲电流的路径，对称排列使其磁场相互抵消。
图2. Silent Switcher技术应用示例，能够抵消脉冲电流路径的磁场
图2总共包含8个开关晶体管。基于Silent Switcher技术的降压-升压电路仅需要四个开关，就像常规降压-升压拓扑一样。图2中额外增加的开关是为了清晰展示对称的脉冲电流路径。
降压-升压稳压器和Silent Switcher技术的结合，让开发具有出色EMC行为的上/下变频器成为可能。为了进一步改善EMC行为，有些稳压器集成了去耦电容，这便是Silent Switcher 2稳压器。
图2中，相关电容已经与集成电路一起集成到 LT8350S等器件中。与使用外部去耦电容的器件相比，其脉冲电流路径中的寄生效应更小，因此进一步降低了电磁辐射骚扰。使用外部耦合电容的版本是 LT8350。
图3为采用了LT8350S降压-升压开关稳压器的电路。该器件可承载高达6 A的开关电流，输入电压范围为3 V至40 V。为了进一步降低所产生的EMI，可以选择使用展频(SSFM)。图3中的电路为带有外部电路的 LTspice®仿真模型，用户可以免费使用。
图3. 采用高集成度LT8350S的Silent Switcher降压-升压ESC
降压-升压开关稳压器适用于需要升压和降压的电压转换电路。ADI公司推出的新型集成电路（如LT8350S）让开发人员可以利用Silent Switcher技术实施此拓扑结构，从而设计具有超高EMC的开关模式电压转换器。
文章来源：ADI