非隔离型栅极驱动器与功率元器件

周三, 4 八月 2021 - 14:14

<section powered-by="xiumi.us">
<section>
<p>ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。</p>
</section>
</section>

<section powered-by="xiumi.us">
<section>
<p>我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOS™。</p>

<p><strong>采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器</strong></p>

<p>ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺，实现了高可靠性。产生闩锁效应时，会流过大电流，可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能，并且可以从结构上避免闩锁效应。</p>
<img alt="非隔离型栅极驱动器" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="475f529f-6224-4c74-90c6-dd1829c90f99" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE1_92.png" />
<p><strong>反向恢复时间更短的超级结MOSFET：PrestoMOS™</strong></p>

<p>PrestoMOS™是一种超级结MOSFET，以往的超级结MOSFET的问题在于内部寄生二极管的反向恢复时间trr特性，而PrestoMOS™系列产品不仅具有更短的反向恢复时间trr，而且损耗更低。</p>
<img alt="PrestoMOS" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="b45f0ded-a5c5-4a7c-8d14-da07c6ea5ae0" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE2_114.png" />
<p>与IGBT相比，PrestoMOS™在中低功率范围内的损耗电压很小，因而可以减少损耗（参见左下图）。另外，在电机驱动电路等电路中，还可以使用高速内部寄生二极管，而无需使用外置快速恢复二极管（FRD）来减少由普通MOSFET和IGBT的再生电流引起的换流损耗。与FRD相比，PrestoMOS™的寄生二极管的VF更低，因此损耗也更低。</p>
<img alt="换流损耗" data-align="center" data-entity-type="file" data-entity-uuid="f3354880-220f-40e7-8f75-b5015fd244ec" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE3_96.png" />
<p><img alt="产品阵容" data-entity-type="file" data-entity-uuid="ad561921-d3ef-469c-82f6-317c020553a2" src="/sites/default/files/inline-images/%E5%9B%BE4_70.png" /></p>

<p>文章来源：<a href="https://mp.weixin.qq.com/s/FMQKiYp79Y-LWKT2l8UUCw">罗姆半导体集团 </a></p…;
</section>
</section>