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漏极和源极之间产生的浪涌

漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的

2023-07-14 | 浪涌, SiC-MOSFET

一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中，我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展

如要在整个蜂窝移动网络中实现具有成本效益、可靠性和安全性的授时，所需的基础设施需要适当的架构、设计和管理

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子

2023-07-10 | IGBT, 栅极驱动

本文将对先进封装技术中最常见的10个术语进行简单介绍

2023-07-10 | 先进封装

高级驾驶辅助系统 (ADAS)，包括自动驾驶视觉分析、泊车辅助和自适应控制功能中的汽车系统电气化日益普及

本文主要讨论的是引入输入滤波器来滤除噪声，或增加屏蔽罩来锁住噪声

本文探讨了车规芯片为什么满足了AEC-Q100这么严苛的标准，同时还需要满足功能安全

本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。

作为一名当代的电源设计工程师，如果正打算为终端系统选择一款合适的电源解决方案，很可能会感到非常的纠结

2023-07-07 | 数字电源, MCU, DSP

全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%

2023-07-06 | 碳化硅, IGBT, SiC

最近遇到了一个元器件管脚是呈圆形分布的。研究了规格书，发现里面只有半径和角度数

设计新的电子设备常常需要进行多项权衡取舍。成本通常与性能并不一致

本篇文章讲述的噪声是指电路中电阻器和晶体管所产生的低频热噪声。

2023-07-05 | LDO, 放大器, 噪声

在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构

2023-07-04 | IGBT, 碳化硅, SiC