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新闻
从“看得清”到“看得懂”:豪威OX05C如何重塑舱内成像新标准
在汽车智能化的进程中,“看得清”早已不够,关键在于“看得懂”。
2025-10-17 |
豪威集团
,
OX05C
,
智能座舱
Synaptics 推出新一代 Astra™ 多模态生成式 AI 处理器,引领智能物联网边缘计算未来
Astra™ SL2610系列处理器基于全新的Synaptics Torq™边缘AI平台,结合面向未来的NPU架构与开源编译器,为物联网AI应用开发树立了新的标准。
2025-10-17 |
Synaptics
,
Astra
,
AI处理器
,
边缘计算
太阳诱电:实现3mm/4mm平方面尺寸绕线型铁氧体类功率电感器支持150℃高温工作
太阳诱电株式会社新增了可以满足车载被动部件认定用可靠性试验规格"AEC-Q200"的绕线型铁氧体类功率电感器"LCXN_T系列"产品。
2025-10-17 |
太阳诱电
,
功率电感器
体积更小且支持大功率!ROHM开始量产SCT40xxDLLTOLL封装的SiC MOSFET
与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。
2025-10-16 |
ROHM
,
SiC MOSFET
,
SCT40xxDLL
0.61μm 像素新标杆!思特威首发 2 亿像素手机 CMOS 传感器
SCC80XS拥有2亿超高清像素,支持传感器内2倍(50MP)及4倍(12.5MP)变焦,可实现全焦段高清拍摄,让远景近景皆清晰
2025-10-16 |
思特威
,
CMOS传感器
,
SCC80XS
高精度电流检测放大器 SGM830,全面覆盖 20/50/100/200/500 倍增益,1MHz 带宽助力快速响应
SGM830 采用符合环保理念的 SOT-23-5 绿色封装,提供两种引脚排布选项,满足不同应用场景的空间要求。器件工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃。
2025-10-16 |
电流检测放大器
,
SGM830
,
圣邦微电子
800 万像素新标杆!豪威 OX08D20 传感器升级来袭 强化 ADAS 核心性能
豪威集团发布新一代汽车图像传感器:采用TheiaCel®技术的800万像素CMOS图像传感器OX08D20
2025-10-16 |
豪威集团
,
OX08D20
,
ADAS
负载开关IC“魔法棒”:简化操作,稳定系统(三)
今天,芝子将带着大家更进一步,详细探讨负载开关IC的具体功能操作!
2025-10-15 |
负载开关IC
,
东芝半导体
驱动服务机器人创新的技术支点在哪里?答案内详!
服务机器人是一种以满足人类生活、工作需求为核心,通过自主或半自主方式提供服务的智能机器人,与工业机器人专注于生产制造不同
2025-10-15 |
服务机器人
,
贸泽电子
Diodes 新推汽车级网桥 PI7C9X762Q,低功耗适配电动车,覆盖智能座舱与 ADAS
PI7C9X762Q提供完整的双向协议转换,支持高达 33Mbps 的 SPI 时钟速度。UART 包括 64 字节的 TX/RX FIFO,具有可编程触发电平,支持可编程字符格式
2025-10-15 |
Diodes
,
PI7C9X762Q
,
智能座舱
,
ADAS
突破业界功率上限!ROHM UCR10C 系列分流电阻器,2012 尺寸实现 1.0W/1.25W 超高额定功率
ROHM今日宣布,成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ~100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。
2025-10-14 |
ROHM
,
UCR10C
,
电流检测
,
分流电阻器
如何挑选一部流畅耐用的手机?UFS 4.1立功
每次在手机上秒开应用、在游戏中流畅切换场景,你是否想过——这种“无延迟”的体验,其实很大程度上取决于设备里那颗小小的存储芯片。
2025-10-14 |
UFS 4.1
,
KIOXIA铠侠
Coherent高意推出低噪声400毫瓦连续波激光器,专为共封装光学与硅光应用设计
该系列 1311 纳米激光器在 55℃ 环境下可稳定输出超过 400 毫瓦功率,同时实现谱线宽度低于 200 kHz
2025-10-14 |
Coherent高意
,
激光器
Omdia:2025年第二季度,全球可穿戴腕带设备市场出货量达5020万台
Omdia的最新研究,全球可穿戴腕带设备市场正在蓬勃发展,2025年第二季度,出货量达5020万台,同比增长13%。
2025-10-14 |
Omdia
,
可穿戴腕带设备
PI 发布新技术白皮书,深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构;新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势。
2025-10-14 |
PI
,
AI数据中心
,
PowiGaN
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